[发明专利]一种紫外雪崩探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种紫外雪崩探测器，其特征在于，该探测器为nipip结构，自衬底从下向上依次包括：

p型层、i型光敏吸收层、p型过渡层、i型雪崩层、n型层；

所述n型层上设置有n型欧姆电极，所述p型层上设置有p型欧姆电极；

所述p型层为接收入射光的结构层；

所述衬底为可透光的衬底；

其中，所述i型雪崩层的材料包括周期性交替设置的势阱层与势垒层，所述势阱层与势垒层之间的导带差大于价带差，势阱层位于一个周期的最下层，靠近所述p型过渡层，势垒层位于一个周期的最上层，靠近所述n型层，一个周期内的势阱层和势垒层之间包括应力调节层，所述应力调节层的禁带宽度小于所述势垒层的禁带宽度，大于所述势阱层的禁带宽度。

2.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，

所述p型层的材料为Al_xGa_1-xN，其中0≤x≤1；

所述i型光敏吸收层的材料为Al_yGa_1-yN，其中0≤y≤1；

所述p型过渡层的材料为Al_zGa_1-zN，其中0≤z≤1；

所述n型层的材料为Al_wGa_1-wN，其中0≤w≤1。

3.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，

所述i型雪崩层的材料包括Al_uGa_1-uN和Al_tGa_1-tN，0≤u≤1,0≤t≤1；

所述Al_uGa_1-uN和Al_tGa_1-tN两种材料周期性交替设置，其中，所述Al_uGa_1-uN为势阱层，位于一个周期的最下层，靠近所述p型过渡层；所述Al_tGa_1-tN为势垒层，位于一个周期的最上层，靠近所述n型层；

所述Al_uGa_1-uN的禁带宽度小于Al_tGa_1-tN的禁带宽度。

4.根据权利要求3所述的探测器，其特征在于，

所述Al_uGa_1-uN和Al_tGa_1-tN之间还包括应力调节层Al_vGa_1-vN,其中，0≤u≤v≤t≤1；所述应力调节层Al_vGa_1-vN的禁带宽度小于所述Al_tGa_1-tN的禁带宽度，且大于所述Al_uGa_1-uN的禁带宽度。

5.根据权利要求4所述的探测器，其特征在于，

所述应力调节层厚度为D(D>0)，应力调节层Al_vGa_1-vN中组分v为变量，u≤v≤t，该组分所在应力调节层中的位置距离当前周期下表面距离为d(0≤d≤D)，则d从0递增到D时，v从u增加到t，组分v随距离d的变化函数的一阶导数大于0。