[发明专利]冲压封装发光二极管装置及其制造方法

权利要求书

1.一种冲压封装发光二极管装置，其特征在于包括：

一发光单元，设置在该基板的表面上；

二条导线，分别连接该发光单元；以及

一封装材，系藉由冲压成型方式所形成之一体封装结构，以覆盖该等导线及该发光单元，该封装材包含一固化材料、一高折射率物质、一奈米导热材以及一荧光材；

其中，该发光单元所发出之光系经过该封装材，以直接对外部出光。

2.根据权利要求1所述的冲压封装发光二极管装置，其特征在于：该奈米导热材包含氧化铝奈米金属粒子或粉末、有机或无机奈米粉、有机或无机奈米粒子、复数个金属粒子、复数个金属氧化物粒子、复数个陶瓷粒子、复数个碳系粒子、或其中之任一组合。

3.根据权利要求1所述的冲压封装发光二极管装置，其特征在于：该高折射率物质包含TiO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、ZrO₂、Si、Gap、Ge、InP、PbS、或其中之任一组合。

4.根据权利要求1所述的冲压封装发光二极管装置，其特征在于：该荧光材包含：黄色荧光材、红色荧光材、绿色荧光材、或橘色荧光材，而该第一荧光材以及该第二荧光材之材料为铝酸盐系荧光材料(Aluminate)、硅酸盐系荧光材料(Silicate)、氮化物系荧光材料(Nitride)、氮氧化物系荧光材料(Oxynitride)、或其中之任一组合。

5.一种冲压封装发光二极管装置，其特征在于包括：

复数个发光二极管单元，包含：

一发光单元；

二条导线，分别连接该发光单元；以及

一封装材，系藉由冲压成型方式所形成之一体封装结构，以覆盖该等导线及该发光单元，该封装材包含一固化材料、一高折射率物质、一奈米导热材以及一荧光材；

其中，该些发光二极管单元所发出之光系经过该封装材，以直接对外部出光。

6.根据权利要求5所述的冲压封装发光二极管装置，其特征在于：该奈米导热材包含氧化铝奈米金属粒子或粉末、有机或无机奈米粉、有机或无机奈米粒子、复数个金属粒子、复数个金属氧化物粒子、复数个陶瓷粒子、复数个碳系粒子、或其中之任一组合。

7.根据权利要求5所述的冲压封装发光二极管装置，其特征在于：该高折射率物质包含TiO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、ZrO₂、Si、Gap、Ge、InP、PbS、或其中之任一组合。

8.一种制备如申请专利范围第1项所述之冲压封装发光二极管的方法，其特征在于：

提供复数个发光单元及一封装材，该封装材系包含一固化材料、一荧光粉混光材料、一奈米散热材料、以及一高折射率物质；

提供一成型模，具有对应于一封装壳体形状之一空腔；

将该发光单元设置于该空腔内之一特定位置，而该封装材包覆住该发光单元；

进行冲制成型步骤，将该发光单元与该封装材设入连续冲压成型机内冲压成型；

进行一浸泡树脂，以填满冲压成型后的空隙；以及

进行一后处理步骤，包括以对该发光二极管成品进行后续再加工处理。

9.根据权利要求8所述的冲压封装发光二极管的制备方法，其特征在于：该高折射率物质包含TiO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、ZrO₂、Si、Gap、Ge、InP、PbS、或其中之任一组合。

10.根据权利要求8所述的冲压封装发光二极管的制备方法，其特征在于：在冲制成型步骤之前或之后，还包括一陶化步骤，温度范围在400℃～900℃之间，将该封装材料中所含的物质充分均匀地黏结融合。