[发明专利]基准电压产生电路和方法

权利要求书

1.一种基准电压产生电路，包括：

正温度系数电流电路，包括正温度系数电流镜以及正温度系数电流产生电路，以及产生正温度系数电流；

负温度系数电流电路，耦接上述正温度系数电流电路、包括负温度系数电流镜以及负温度系数电流产生电路，以及产生负温度系数电流；以及

第一电阻，耦接上述正温度系数电流电路和上述负温度系数电流电路，

其中当上述正温度系数电流以及上述负温度系数电流流经上述第一电阻，在上述第一电阻上产生基准电压，以及

其中上述正温度系数电流电路以及上述负温度系数电流电路由金属氧化物半导体场效晶体管和电阻组成。

2.如权利要求1所述的基准电压产生电路，还包括：

启动电路，耦接上述正温度系数电流电路，以避免上述正温度系数电流电路工作在电流为0的兼并点上。

3.如权利要求1所述的基准电压产生电路，其中上述正温度系数电流镜以及上述负温度系数电流镜是共模结构，或自偏压结构。

4.如权利要求1所述的基准电压产生电路，其中上述正温度系数电流产生电路包括第一晶体管、第二晶体管以及第二电阻，其中上述第一晶体管和上述第二晶体管间具有栅源电压差，且根据上述第二电阻以及上述栅源电压差，上述正温度系数电流在上述第二电阻被产生。

5.如权利要求4所述的基准电压产生电路，其中上述负温度系数电流产生电路包括第三晶体管以及第三电阻，其中根据上述第三电阻以及上述第三晶体管的栅源电压，上述负温度系数电流在上述第三电阻被产生。

6.一种基准电压产生方法，包括：

通过正温度系数电流电路，产生正温度系数电流；

通过负温度系数电流电路，产生负温度系数电流；以及

根据上述正温度系数电流以及上述负温度系数电流在第一电阻上产生基准电压，

其中上述正温度系数电流电路以及上述负温度系数电流电路都是由金氧半场效晶体管所组成。

7.如权利要求6所述的基准电压产生方法，还包括：

通过启动电路避免上述正温度系数电流电路工作在电流为0的兼并点上。

8.如权利要求6所述的基准电压产生方法，其中上述正温度系数电流电路包含的正温度系数电流镜以及上述负温度系数电流电路包含的负温度系数电流镜是共模结构，或自偏压结构。

9.如权利要求6所述的基准电压产生方法，还包括：

根据上述正温度系数电流电路的第二电阻以及上述正温度系数电流电路的第一晶体管和第二晶体管的栅源电压差，在上述第二电阻上产生上述正温度系数电流。

10.如权利要求9所述的基准电压产生方法，还包括：

根据上述负温度系数电流电路的第三电阻以及上述负温度系数电流电路的第三晶体管的栅源电压，在上述第三电阻产生上述负温度系数电流。