[发明专利]一种添入GDT的复合型MOV

说明书

技术领域

本发明涉及压敏电阻器复合组件设计技术领域，尤其涉及一种添入GDT的复合型MOV。

背景技术

常规MOV(Metal Oxide Varistor，氧化锌电阻器)具有特殊的非线性UI特性(即伏安特性，U代表电压，I代表电流)，当其所在的线路一旦发生异常状况时，比如遭遇雷击、电磁场干扰、电源开关频繁动作、电源系统故障等，线路上电压突增到超过MOV的导通电压，MOV就会进入导通区，电流(I)和电压(U)之间的非线性系数值(Nonlinearity Parameter)可达数十或上百，此时，MOV的阻抗会降低到仅仅几欧姆，使过电压形成突波电流泄露而出，以保护所连接的电子产品或昂贵组件。

随着清洁能源技术的快速发展、高铁的普及和电子机械(如机器人、机械手等)的广泛应用，常规MOV被应用在越来越多的领域。在安全领域如铁轨控制、航海航空等对信号的可靠性要求极高，绝不允许正常工作时有泄漏电流产生，所以必须加强防护，而在普通领域如应用型产品的性能提升上(如4G通讯提升到5G通讯)，常规MOV无法满足通讯链路的实际需求，有待进一步的改进。

GDT(Gas Discharge Tube，气体放电管)，实质是一种密封在陶瓷腔体中的放电间隙，腔体中充有惰性气体以稳定放电管的放电电压。其主要特点是通流能量大，可达数十至数百KA，绝缘电阻极高，无漏流，无老化失效，无极性，静态电容极小，特别适用于高速网络通讯设备的粗保护。

所以，若结合GDT对常规MOV进行结构上的改进便能避免泄漏电流的产生，能提高复合组件的寿命和可靠性，也能进一步加强对整个线路的保护，这就是本发明研究的主要内容。

发明内容

本发明提供一种添入GDT的复合型MOV，解决了在常规MOV的具体结构中加入GDT组合成新的复合结构以改善其电气性能的技术问题。

为解决以上技术问题，本发明提供一种添入GDT的复合型MOV，设有上盒体、下盒体，还设有嵌入所述下盒体内的下引出电极，在所述下引出电极上依次叠置MOV芯片、中引出电极、GDT、上引出电极，或依次叠置MOV芯片、GDT、上引出电极，或依次叠置第一MOV芯片、中引出电极、GDT、第二MOV芯片、上引出电极，或依次叠置第一MOV芯片、GDT、第二MOV芯片、上引出电极，或依次叠置MOV芯片、第一金属垫片、GDT、第二金属垫片、上引出电极，或依次叠置第一MOV芯片、第一金属垫片、GDT、第二金属垫片、第二MOV芯片、上引出电极；所述上盒体盖合在所述上引出电极上，通过紧固件与所述下盒体紧固为一体，并对所述下引出电极、GDT、上引出电极，与所述MOV芯片或所述第一MOV芯片、第二MOV芯片，与/非所述中引出电极或所述第一金属垫片、第二金属垫片，进行紧压固定，即：对所述下引出电极、MOV芯片、中引出电极、GDT、上引出电极进行紧压固定，或对所述下引出电极、MOV芯片、GDT、上引出电极进行紧压固定，或对所述下引出电极、第一MOV芯片、中引出电极、GDT、第二MOV芯片、上引出电极进行紧压固定，或对所述下引出电极、第一MOV芯片、GDT、第二MOV芯片、上引出电极进行紧压固定，或对所述下引出电极、MOV芯片、第一金属垫片、GDT、第二金属垫片、上引出电极进行紧压固定，或对所述下引出电极、第一MOV芯片、第一金属垫片、GDT、第二金属垫片、第二MOV芯片、上引出电极进行紧压固定。

具体地，所述上盒体与所述下盒体的四角均设有凸台，相邻的所述凸台之间形成通风口；所述凸台在其高度方向上设有上下盒体相对应的通孔或螺纹孔，所述紧固件通过所述通孔或螺纹孔将所述上盒体与所述下盒体紧固为一体；所述凸台朝盒体中心的一面呈圆弧面，所述圆弧面围成圆柱形容置空间，所述圆柱形容置空间的圆形底面设有凸点或凸线；所述下盒体的圆柱形容置空间的底面还设有电极引出孔。

优选地，采用绝缘防火材料制成的所述上盒体、下盒体为形状相同的圆形上盒体、圆形下盒体或矩形上盒体、矩形下盒体，其中，在所述矩形上盒体与矩形下盒体中，所述凸台为三角形凸台。

优选地，所述上盒体与所述下盒体互为等高结构；所述上盒体的圆柱形容置空间与所述下盒体的圆柱形容置空间共同承纳所述下引出电极、GDT、上引出电极，与所述MOV芯片或所述第一MOV芯片、第二MOV芯片，与/非所述中引出电极或所述第一金属垫片、第二金属垫片。