[发明专利]用于处理半导体基板的方法、得到的半导体基板及其用途

权利要求书

1.一种用于处理半导体基板的方法，其特征在于，所述方法包括升温阶段和缺陷处理阶段；

所述升温阶段施加有激发载流子的手段；

所述缺陷处理阶段包括至少2个平台处理阶段，在每个平台处理阶段期间内，处理温度和激发载流子产生率恒定；

所述至少2个平台处理阶段中，任意2个平台处理阶段所处理的缺陷类型不同；

在所有平台处理阶段完成后进行冷却阶段，所述冷却阶段的温度逐渐下降至设定温度；

同时，所述方法至少满足如下条件之一：

(1)任意2个平台处理阶段之间，处理温度不同，相邻的2个平台处理阶段之间存在温度过渡阶段，所述温度过渡阶段伴随激发载流子的手段；

(2)任意2个平台处理阶段之间，激发载流子产生率不同。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当“任意2个平台处理阶段之间，处理温度不同”时，处理温度的差值≥1℃。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述平台处理阶段的处理温度选自50℃、150℃、300℃、400℃、500℃、600℃、700℃、800℃、900℃、1000℃中的任意1个或加热至半导体基板开始熔融。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个平台处理阶段的处理时间各自独立地≥1s。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当“任意2个平台处理阶段之间，激发载流子产生率载流子产生率不同”时，激发载流子的产生率的差值≥10¹⁰cm^-3/s。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激发载流子的手段包括能够将电子从基态跃迁到激发态并形成自由移动电子的辐照方法，和/或能够将电子从基态跃迁到激发态并形成自由移动电子的通正向电流或正向电压的方法。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述辐照强度的能量密度≥10mW/cm²。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述辐照强度的能量密度选自50mW/cm²、100mW/cm²、500mW/cm²、1000mW/cm²、5000mW/cm²、10000mW/cm²、50000mW/cm²或是半导体基板开始熔融的能量密度中的任意1个。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述辐照方式包括连续式辐照或者脉冲式辐照。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述辐照方式包括电磁辐射和/或高能粒子辐射。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述电磁辐射包括光辐射。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述光辐射包括红外线灯辐射、金属卤素灯辐射、发光二极管辐射、激光辐射中的任意1种或至少2种的组合。

13.如权利要求6所述的方法，其特征在于，采用通正向电流和/或正向电压对半导体基板进行激发载流子的手段中，所述半导体基板至少具有一组pn结。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述半导体基板还具有一组正负电极。

15.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述正向电压≥0.01V。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述正向电压选自0.05V、0.1V、0.2V、0.4V、0.8V、2V、4V、10V中的任意1个。