[发明专利]用于处理从非易失性存储器阵列检索的状态置信度数据的方法和设备

权利要求书

1.一种用于处理从非易失性存储器检索的状态置信度数据的设备，包括：

控制器，用以从非易失性存储器检索数据；以及

纠错模块，所述纠错模块可在控制器上操作来进行：

在多位存储器存储单元上执行存储器读取，所述存储器读取包括：

针对多位存储器存储单元的第一位确定一组基准电压，该组基准电压标记逻辑状态之间的各组过渡；以及

针对该组基准电压的每个基准电压执行一组感测测量，每组感测测量包括在跨越围绕每个基准电压的一定范围的阈值电压的多个感测基准电压下对非易失性存储器进行读取，其中不同感测测量之间的变化的常规变量是感测基准电压；

提供基于多次测量的结果而表示存储器存储单元处于特定逻辑状态的可能性的状态置信度数据；以及

提供没有状态置信度数据的情况下的存储器存储单元的逻辑状态的值。

2.根据权利要求1所述的设备，所述纠错模块可在控制器上操作来进行：

在包括多个感测条件的第一组感测条件下对存储器的存储器存储单元进行读取；

设定已编码输出中的第一组位，该第一组位包括将指示存储器存储单元的逻辑状态的逻辑状态位和将基于第一组感测条件下的读取结果而指示逻辑状态位的准确度的已编码输出中的一个或多个附加位，该第一组感测条件包括比第一组位更大的数目。

3.根据权利要求2所述的设备，所述非易失性存储器包括NAND存储器，并且所述纠错模块可在控制器上操作来进行应用低密度奇偶校验（LDPC）修正来确定非易失性存储器的位错误。

4.根据权利要求2所述的设备，所述第一组位对应于施加多个感测条件的结果，其包括施加落在表示用于所述存储器存储单元的第一逻辑状态的标称阈值电压的第一阈值电压与表示用于所述存储器存储单元的第二逻辑状态的标称阈值电压的第二阈值电压之间的至少一个感测基准电压。

5.根据权利要求4所述的设备，该第一组感测条件包括第一组感测基准电压，其跨越在第一和第二阈值电压之间的一定范围的阈值电压。

6.根据权利要求2所述的设备，所述纠错模块可在控制器上操作来进行：

基于施加一组或多组感测条件的结果来设定n位已编码状态置信度输出，一组或多组感测条件包括等于小于2ⁿ的一组感测条件。

7.根据权利要求2所述的设备，所述纠错模块可在控制器上操作来进行：

当阈值电压的增加对应于逻辑“0”与逻辑“1”之间的过渡时，生成已编码输出的第一编码序列；以及

当阈值电压的增加对应于逻辑“1”与逻辑“0”之间的过渡时，生成作为第一编码序列的反向的第二编码序列。

8.根据权利要求2所述的设备，包括数据命令模块，其可在控制器上操作来进行：

将来自非易失性存储器的已编码输出发射到系统控制器；

生成第一命令，其向非易失性存储器指示用于常规用户数据的请求；以及

生成第二命令，其指示用于状态置信度数据的请求。

9.根据权利要求8所述的设备，该数据命令模块可在控制器上操作来进行在请求从先前读感测操作导出的下一位已编码数据时向非易失性存储器提供第三命令。

10.根据权利要求1的设备，包括用以呈现从非易失性存储器读取的数据的结果的数字显示器。