[发明专利]宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料及制备方法

权利要求书

1.一种宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料，其特征在于：化学通式为Na_0.5Bi_4.5Ti_4-xMg_yO_15-2x+y，其中x=0～0.08，y=0.04～0.08。

2.如权利要求1所述的宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料，其特征在于：所述无铅电子陶瓷材料化学通式中：x=0，y=0.04～0.08。

3.如权利要求1所述的宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料，其特征在于：所述无铅电子陶瓷材料化学通式中：y=x，y=0.04～0.08。

4.如权利要求1所述的宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料，其特征在于：介电常数为1538.75～2324.03，最小介电损耗为0.00203259～0.00352346。

5.一种宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)将反应物Na₂CO₃, TiO₂，Bi₂O₃和MgO粉末置于干燥器中冷却至室温后由化学通式中元素的化学计量比称重；

2)将步骤1)中的反应物粉末在异丙醇中混合球磨并干燥，干燥后的反应物粉末预烧，预烧后的粉末进行二次球磨，最后干燥研磨，得到钛酸铋钠基无铅压电陶瓷粉体；

3)将步骤2)得到的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷粉体经造粒、压片、排胶处理后，在封闭的氧化铝坩埚中1000～1120℃烧结2～3小时，得到宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料。

6.如权利要求5所述的宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中反应物Na₂CO₃, TiO₂，Bi₂O₃和MgO粉末的纯度均为99%。

7.如权利要求5所述的宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中预烧温度为780～920℃，预烧时间为2～5小时。

8.如权利要求5所述的宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中二次球磨的转速为150～450r/min，二次球磨时间为3～8小时。

9.一种宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料的应用，其特征在于：将权利要求1～4任一项所述的宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料用于制备各种形状的陶瓷电容器、绝缘体器件。