[发明专利]一种自限制精确刻蚀硅的方法在审
| 申请号： | 201710546763.X | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107424923A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 康斯坦丁·莫吉利尼科夫 | 申请（专利权）人： | 鲁汶仪器有限公司（比利时） |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司11511 | 代理人： | 孟海娟 |
| 地址： | 比利时鲁*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 限制 精确 刻蚀 方法 | ||
1.一种自限制精确刻蚀硅的方法，其特征在于，
包括以下步骤：
Si表面自限制氧化层形成步骤，向真空反应腔内通入氧气，对形成在半导体衬底上的待刻蚀Si层表面进行氧化处理，形成自限制SiO2层，然后将真空反应腔内的残余氧气抽出；
选择性化学刻蚀自限制氧化层步骤，通入HF气体，对自限制SiO2层进行选择性刻蚀，然后将真空反应腔内的残余HF及生成气体抽出，
重复上述各步骤，直至达到预定Si刻蚀量。
2.根据权利要求1所述的自限制精确刻蚀硅的方法，其特征在于，
在所述Si表面自限制氧化层形成步骤中对衬底温度进行控制。
3.根据权利要求2所述的自限制精确刻蚀硅的方法，其特征在于，
所述衬底温度为0℃～200℃。
4.根据权利要求1所述的自限制精确刻蚀硅的方法，其特征在于，
所述自限制SiO2层厚度为1～5个原子层。
5.根据权利要求1所述的自限制精确刻蚀硅的方法，其特征在于，
所述氧化处理时间为1s～10s。
6.根据权利要求1所述的自限制精确刻蚀硅的方法，其特征在于，
通入所述HF气体的时间为1s～10s。
7.根据权利要求1所述的自限制精确刻蚀硅的方法，其特征在于，
在形成所述自限制SiO2层前，形成Al2O3作为掩膜层。
8.根据权利要求1所述的自限制精确刻蚀硅的方法，其特征在于，
所述半导体衬底为Si或绝缘体上Si。
9.根据权利要求8所述的自限制精确刻蚀硅的方法，其特征在于，
在所述半导体衬底与所述待刻蚀Si层间形成阻挡层。
10.根据权利要求9所述的自限制精确刻蚀硅的方法，其特征在于，
所述阻挡层为HfO2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
