[发明专利]一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。

【背景技术】

有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，成为最有发展潜力的显示装置。

传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压变换为电流。

如图1所示，现有的2T1C结构的AMOLED像素驱动电路，包括第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、电容C10及有机发光二极管D10，所述第一薄膜晶体管T10为驱动薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管T20为开关薄膜晶体管，所述电容C10为存储电容。具体地，所述第二薄膜晶体管T20的栅极接入扫描信号Gate，源极接入数据信号Data，漏极电性连接第一薄膜晶体管T10的栅极；所述第一薄膜晶体管T10的源极接入电源正电压OVDD，漏极电性连接有机发光二极管D10的阳极；有机发光二极管D10的阴极接入电源负电压OVSS。电容C10的一端电性连接第一薄膜晶体管T10的栅极，另一端电性连接第一薄膜晶体管T10的源极。该2T1C像素驱动电路在对AMOLED进行驱动时，流过有机发光二极管D10的电流满足：

I＝k×(Vgs-Vth)²；

其中，I为流过有机发光二极管D10的电流，k为驱动薄膜晶体管的本征导电因子，Vgs为第一薄膜晶体管T10栅极和源极间的电压差，Vth为第一薄膜晶体管T10的阈值电压，可见流过有机发光二极管D10的电流与驱动薄膜晶体管的阈值电压相关。

由于面板制程的不稳定性等因素，使得面板内每个像素驱动电路内的驱动薄膜晶体管的阈值电压产生差别。即使将相等的数据电压施加到各个像素驱动电路内的驱动薄膜晶体管，也会使得流入有机发光二极管的电流不一致，从而影响显示图像质量的均一性。且随着驱动薄膜晶体管的驱动时间的变长，薄膜晶体管的材料会出现老化、变异，导致驱动薄膜晶体管的阈值电压产生漂移，且薄膜晶体管材料的老化程度不同，各驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移量也不同，从而出现面板显示不均的现象，同时会使驱动薄膜晶体管的开启电压上升，流入有机发光二极管的电流降低，导致面板亮度降低、发光效率下降等问题。

因此，有必要提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法，能够提高面板显示的均一性、面板的亮度以及发光效率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种AMOLED像素驱动电路，其包括：

第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、第二电容以及有机发光二极管；

所述有机发光二极管的阳极接入电源正电压；所述有机发光二极管的阳极与所述第五薄膜晶体管的源极电性连接，所述有机发光二极管的阴极分别与所述第五薄膜晶体管的漏极以及所述第四薄膜晶体管的源极电性连接；所述第五薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号；

所述第四薄膜晶体管的栅极接入第三扫描信号；所述第四薄膜晶体管的漏极分别与所述第二电容的一端、所述第三薄膜晶体管的漏极以及所述第一薄膜晶体管的源极电性连接；

所述第三薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，所述第三薄膜晶体管的源极接入数据电压；

所述第二电容的另一端与所述第一电容的一端电性连接，所述第一电容的另一端接地；

所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二电容和所述第一电容之间的节点电性连接，所述第一薄膜晶体管的漏极分别与所述第二薄膜晶体管的源极以及所述第六薄膜晶体管的漏极电性连接；

所述第二薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二电容和所述第一电容之间的节点电性连接；

所述第六薄膜晶体管的栅极接入第三扫描信号，所述第六薄膜晶体管的源极接入电压负电压。

在本发明的AMOLED像素驱动电路中，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管以及所述第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管以及非晶硅薄膜晶体管中的一种。