[发明专利]一种正温度系数可调温度传感芯片在审
申请号: | 201710546234.X | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN107121212A | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 姜帆;陈利;刘玉山 | 申请(专利权)人: | 厦门安斯通微电子技术有限公司 |
主分类号: | G01K1/20 | 分类号: | G01K1/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361011 福建省厦门市厦门湖*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 温度 系数 可调 传感 芯片 | ||
1.一种正温度系数可调温度传感芯片,其特征在于:包括正温度系数传感电路、补偿电路、模数转换电路、时钟电路、逻辑控制电路、串行接口电路和储存单元;所述正温度系数传感电路为芯片的主体部分,其输出电压随感应温度的上升而线性上升;所述补偿电路与所述传感电路连接,对正温度系数感应电路影响温度感应精度的因素进行补偿;所述模数转换电路与所述正温度系数感应电路连接,将正温度系数传感电路的输出进行模拟量到数字量的转变,提高输出的抗噪声能力;所述时钟电路为芯片内部提供时钟信号,与所述模数转换电路和逻辑控制电路连接;所述逻辑控制电路为芯片内部提供逻辑控制信号,输出端与所述模数转换电路和串行接口电路连接;所述串行接口电路输入端与所述模数转换电路的输出端连接,作为芯片与外部信号的通讯接口,它将反映温度信息的传感量进行输出;所述存储单元输入端与所述串行接口电路连接,客户通过串行接口电路的两个端口,将需要调整的温度系数存储于该单元,存储单元输出端与所述正温度系数传感电路连接,对正温度系数传感电路进行修调,调整芯片的温度系数。
2.根据权利要求1所述的一种正温度系数可调温度传感芯片,其特征在于:所述正温度系数传感电路包括电源、启动电路、正温度系数电压产生电路和电压跟随电路I0;所述电源与所述启动电路和正温度系数电压产生电路相连,用于供电;所述启动电路包括第一P型场效应管MP1、第二P型场效应管MP2、第一N型场效应管MN1、第二N型场效应管MN2和二极管D1,与所述正温度系数电压产生电路相连,在电源电压上电初始时,为正温度系数电压产生电路提供初始电流;所述正温度系数电压产生电路包括第三P型场效应管MP3、第四P型场效应管MP4、第五P型场效应管MP5、第一三极管Q1、第二三极管Q2、电阻R1和修调电阻阵列Rtrim;所述电压跟随电路I0与所述正温度系数电压产生电路相连,用于增强驱动带载能力。
3.根据权利要求2所述的一种正温度系数可调温度传感芯片,其特征在于:所述第一P型场效应管MP1的漏极接电源,源极分别与所述二极管D1的正极和第一N型场效应管MN1的漏极相连,栅极与接地信号相连;所述第二P型场效应管MP2的漏极接电源,源极与所述第二N型场效应管MN2的漏极相连,栅极分别与所述第三P型场效应管MP3的栅极和第四P型场效应管MP4的栅极相连;所述第一N型场效应管MN1的漏极分别与所述第一P型场效应管MP1的源极和二极管D1的正极相连,源极与接地信号相连,栅极与所述第二N型场效应管MN2的栅极相连;所述第二N型场效应管MN2的漏极与所述第二P型场效应管MP2的源极相连,源极与接地信号相连,栅极与所述第一N型场效应管MN1的栅极相连,且漏极与栅极两端直接相连,所述第一N型场效应管MN1和第二N型场效应管MN2构成电流镜的关系;所述二极管D1的正极分别与所述第一P型场效应管MP1的源极和第一N型场效应管MN1的漏极相连,负极分别与所述第三P型场效应管MP3的源极和第一三极管Q1的集电极相连;所述第三P型场效应管MP3的漏极接所述电源,源极分别与所述二极管D1的负极和第一三极管Q1的集电极相连,栅极分别与所述第二P型场效应管MP2的栅极和第四P型场效应管MP4的栅极相连;所述第四P型场效应管MP4的漏极接所述电源,源极分别与所述第五P型场效应管MP5的栅极和第二三极管Q2的集电极相连,栅极分别与所述第二P型场效应管MP2的栅极和第三P型场效应管MP3的栅极相连,且栅极和源极两端直接相连,所述第二P型场效应管MP2和第四P型场效应管MP4构成电流镜的关系;所述第五P型场效应管MP5的漏极接所述电源,源极分别与所述修调电阻阵列Rtrim的一端和电压跟随电路I0的正输入端相连,栅极分别与所述第四P型场效应管MP4的源极和第二三极管Q2的集电极相连;所述第一三极管Q1的集电极和基极两端直接相连,集电极分别与所述二极管D1的负极和第三P型场效应管MP3的源极相连,基极与所述第二三极管Q2的基极相连,发射极与接地信号相连;所述第二三极管Q2的集电极分别与所述第四P型场效应管MP4的源极和第五P型场效应管MP5的栅极相连,基极与所述第一三极管Q1的基极相连,发射极与所述电阻R1的一端相连;所述电阻R1的一端与所述第二三极管Q2的发射极相连,另一端与接地信号相连;所述修调电阻阵列Rtrim的一端分别与所述第五P型场效应管MP5的源极和电压跟随电路I0的正输入端相连,另一端与接地信号相连。
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