[发明专利]一种显示面板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

现有的显示器一般都基于主动开关进行控制，具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，主要包括液晶显示器、OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示器、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes)显示器、等离子显示器等、从外观结构来看，既有平面型显示器、也有曲面型显示器。

对于液晶显示器，包括液晶面板及背光模组(Backlight Module)两大部分，液晶显示器的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

对于OLED显示器，采用机发光二极管自发光来进行显示，具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。

QLED显示器结构与OLED技术非常相似，主要区别在于QLED的发光中心由量子点(Quantum dots)物质构成。其结构是两侧电子(Electron)和空穴(Hole)在量子点层中汇聚后形成光子(Exciton)，并且通过光子的重组发光。

然而对于主动开关中相关层的交界面，若使用常规的方式来提高绝缘层会使得该交界面的品质下降，同时漏电流的泄露量也增加，不仅致使主动开关的信赖性变差，同时还会影响主动开关的正常使用表现。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种与主动开关配合显示面板。

为解决上述问题，本发明的实施例提供的显示面板包括：

基板，所述基板设置有多个像素区；

主动开关，多个所述主动开关设置在所述基板上，所述像素区设置在所述主动开关上，所述主动开关与所述像素区一一对应，所述主动开关包括绝缘层，所述绝缘层包括至少两层薄膜，所述薄膜通过化学气相沉积的方式以预设的厚度形成。

其中，所述主动开关包括设置在底部的栅极层，所述栅极层上设置有绝缘层，所述绝缘层包括绝缘层第一薄膜、绝缘层第二薄膜，所述绝缘层第一薄膜、所述绝缘层第二薄膜依次排布，所述绝缘层第一薄膜设置在远离所述栅极层的一端，所述绝缘层第二薄膜设置在靠近所述栅极层的一端；所述绝缘层的厚度为3500至4000埃米，所述绝缘层第一薄膜的厚度为500至2000埃米，所述绝缘层第二薄膜的厚度为2000至3500埃米。这里是绝缘层设置两层薄膜的情形，以及绝缘层与各薄膜相应的厚度设置。

其中，所述主动开关包括设置在底部的栅极层，所述绝缘层包括绝缘层第一薄膜、绝缘层第二薄膜、绝缘层第三薄膜，所述绝缘层第一薄膜、所述绝缘层第二薄膜、所述绝缘层第三薄膜依次排布，所述绝缘层第一薄膜设置在远离所述栅极层的一端，所述绝缘层第三薄膜设置在靠近所述栅极层的一端；所述绝缘层的厚度为3500至4000埃米，所述绝缘层第一薄膜的厚度为500至2000埃米，所述绝缘层第二薄膜的厚度为1000至3000埃米，所述绝缘层第三薄膜的厚度为500至2000埃米。这里是绝缘层设置三层薄膜的情形，以及绝缘层与各薄膜相应的厚度设置。三层薄膜的设置可以更好的提高绝缘层与非晶硅层的交界面的品质以及绝缘层的均匀性。

其中，所述绝缘层上设置有非晶硅层，所述非晶硅层包括两层薄膜：非晶硅层第一薄膜、非晶硅层第二薄膜，所述非晶硅层第一薄膜、所述非晶硅层第二薄膜依次排布，所述非晶硅层第一薄膜设置在远离所述绝缘层的一端，所述非晶硅层第二薄膜设置在靠近所述绝缘层的一端；所述非晶硅层第一薄膜的厚度为1000埃米，所述非晶硅层第二薄膜的厚度为300埃米。这里是非晶硅层设置两层薄膜的情形，各薄膜相应的厚度设置。配合绝缘层的设置更能提高交界面的品质、提升非晶硅层的均匀性，更加快化学气相沉积用于薄膜沉积加工速率。

其中，进行化学气相沉积时，所述绝缘层第一薄膜中四氢化硅、氨气、氮气分别为2300至2530标况毫升每分、15000至16000标况毫升每分、68000至83500标况毫升每分；

所述绝缘层第二薄膜中四氢化硅、氨气、氮气分别为5500标况毫升每分、30000标况毫升每分、80000标况毫升每分；

所述绝缘层第三薄膜中四氢化硅、氨气、氮气分别为7000至7200标况毫升每分、26000至27000标况毫升每分、66000至70000标况毫升每分。这里是绝缘层设置三层薄膜的情形下各薄膜沉积时的气体体积流量，保证形成的绝缘层的正常功用。