[发明专利]多端口光电器件封装方法及基于该方法的多端口光电器件在审

专利信息
申请号: 201710546090.8 申请日: 2017-07-06
公开(公告)号: CN107219593A 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 许远忠;张强;张勇;李惠敏 申请(专利权)人: 成都光创联科技有限公司
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227 代理人: 周永宏
地址: 610041 四川省成都市自由贸*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 多端 光电 器件 封装 方法 基于
【权利要求书】:

1.一种多端口光电器件封装方法,该多端口光电器件至少包括:金属气密盒、激光器芯片以及接收芯片;其特征在于,所述激光器芯片与接收芯片采用平面化结构耦合封装于金属气密盒中,所述金属气密盒一侧设有与外部连接的接口;所述激光芯片与接收芯片各自的管脚分别与该接口电连接;所述金属气密盒采用平行缝焊工艺密封。

2.基于权利要求1所述封装方法的三端口光电器件,其特征在于,包括:采用平行缝焊工艺密封的金属气密盒;以及沿同一光路依次分布第一激光器芯片、-45°透反射滤波片、+45°透反射滤波片;还包括:-45°透反射滤波片正上方设置的第二激光器芯片,以及+45°透反射滤波片正下方设置的接收芯片;

所述第一激光器芯片、-45°透反射滤波片、+45°透反射滤波片、第二激光器芯片以及接收芯片,采用平面化结构耦合封装于金属气密盒中;

所述金属气密盒一侧设有与外部连接的接口;

所述第一激光器芯片、第二激光器芯片以及接收芯片各自的管脚分别与该接口电连接;。

3.根据权利要求2所述的三端口光电器件,其特征在于,所述第一激光器芯片采用1577nm EML芯片。

4.根据权利要求2所述的三端口光电器件,其特征在于,所述第二激光器芯片采用1490nm DFB芯片。

5.根据权利要求2所述的三端口光电器件,其特征在于,所述接收芯片采用1310nmAPD芯片。

6.基于权利要求1所述的封装方法的四端口光电器件,其特征在于,包括:采用平行缝焊工艺密封的金属气密盒;以及沿同一光路依次分布第一激光器芯片、第一-45°透反射滤波片、+45°透反射滤波片、第二-45°透反射滤波片;还包括:第一-45°透反射滤波片正上方设置的第二激光器芯片、+45°透反射滤波片正下方设置的第一接收芯片、以及第二-45°透反射滤波片正上方设置的第二接收芯片;

所述第一激光器芯片、第一-45°透反射滤波片、+45°透反射滤波片、第二-45°透反射滤波片、第二激光器芯片、第一接收芯片以及第二接收芯片,采用平面化结构耦合封装于金属气密盒中;

所述金属气密盒一侧设有与外部连接的接口;

所述第一激光器芯片、第二激光器芯片、第一接收芯片以及第二接收芯片各自的管脚分别与该接口电连接。

7.根据权利要求6所述的三端口光电器件,其特征在于,所述第一激光器芯片采用1577nm EML芯片或1577nm DML芯片。

8.根据权利要求6所述的三端口光电器件,其特征在于,所述第二激光器芯片采用1490nm DFB芯片。

9.根据权利要求6所述的三端口光电器件,其特征在于,所述第一接收芯片与第二接收芯片采用1310nm APD芯片。

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