[发明专利]芯片功耗的调节方法、电路与装置

说明书

本发明实施例提供一种芯片功耗的调节方法、电路与装置。该方法包括：监测所述芯片中各功能模块的衬底电流，其中，所述芯片包括至少一个功能模块；根据每个功能模块的衬底电流，确定每个功能模块对应的功耗调节方法，所述功耗调节方法用于降低所述芯片的功耗。即本发明的技术方案，以芯片的功能模块为研究对象，在对一个功能模块进行调节的过程中，其他功能模块的工作状态不受影响，从而提高了芯片功耗调节的针对性和准确性。

技术领域

本发明实施例涉及芯片设计技术，尤其涉及一种芯片功耗的调节方法、电路与装置。

背景技术

在芯片的设计过程中需要考虑芯片在高温条件下的工作温度，因此，在高温条件下的芯片可以采用一些新材料，比如砷化镓(GaAs)、硼化镓(GaP)、碳化硅(SiC)甚至真空管技术等。但是基于成本的考虑，通常使用传统体硅(Bulk)工艺进行抗高温的芯片设计。但是在高温环境下，传统体硅(Bulk)工艺电参数的变化会导致芯片的可靠性降低。

目前，为了提高芯片在高温环境下的可靠性，通过降低芯片的功耗来降低芯片的工作温度。具体是，使用温度传感器实时监测芯片的温度，当芯片的温度超过预设阈值时，调低芯片的工作电压，接着，继续监测芯片的温度，当芯片的温度依然超出预设阈值时，继续调低芯片的工作电压。由此可知，现有技术是根据芯片的温度，逐渐降低芯片的工作电压来降低芯片的功耗。

由上述可知，现有技术以整个芯片为研究对象，其调节过程缓慢，效率低，并具有一定的盲目性。

发明内容

本发明实施例提供一种芯片功耗的调节方法、电路与装置，用于解决现有技术以整个芯片为研究对象，其调节过程缓慢，效率低，并具有一定的盲目性的问题。

第一方面，本发明实施例提供一种芯片功耗的调节方法，包括：

监测所述芯片中各功能模块的衬底电流，其中，所述芯片包括至少一个功能模块；

根据每个功能模块的衬底电流，确定每个功能模块对应的功耗调节方法，所述功耗调节方法用于降低所述芯片的功耗。

在第一方面的一种可能的实现方式中，所述根据每个功能模块的衬底电流，确定每个功能模块对应的功耗调节方法，具体包括：

针对其中一功能模块，将所述功能模块的衬底电流与第一预设阈值进行比较；

当所述功能模块的衬底电流大于或等于第一预设阈值时，断开所述功能模块的电源。

在第一方面的另一种可能的实现方式中，监测所述芯片中各功能模块的电源电流；

所述根据每个功能模块的衬底电流，确定每个功能模块对应的功耗调节方法，具体包括：

针对其中一功能模块，将所述功能模块的衬底电流与第一预设阈值进行比较；

当所述功能模块的衬底电流小于所述第一预设阈值，判断所述功能模块的电源电流是否大于或等于第二预设阈值；

若是，则判断所述功能模块的衬底电流与所述功能模块的电源电流的比值是否大于或等于第三预设阈值；

若是，则断开所述功能模块的电源。

在第一方面的另一种可能的实现方式中，所述根据每个功能模块的衬底电流，确定每个功能模块对应的功耗调节方法，具体包括：

针对其中一功能模块，当所述功能模块的衬底电流小于第一预设阈值、所述功能模块的电源电流大于第二预设阈值，且所述功能模块的衬底电流与所述功能模块的电源电流的比值小于第三预设阈值时，降低所述功能模块的运行频率。

在第一方面的另一种可能的实现方式中，所述根据每个功能模块的衬底电流，确定每个功能模块对应的功耗调节方法，具体包括：