[发明专利]一种超高分子量改性聚硅氧烷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710545497.9 申请日: 2017-07-06
公开(公告)号: CN107236131A 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 罗穗莲;练昌周 申请(专利权)人: 华南师范大学
主分类号: C08G77/392 分类号: C08G77/392;C08G77/20;C08G77/12
代理公司: 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)11427 代理人: 陈娟
地址: 510006 广东省广州市广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 超高 分子量 改性 聚硅氧烷 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种高折射率聚硅氧烷及其制备方法,属于有机硅领域。

背景技术

最早用于LED封装的材料是环氧树脂封装材料。这是因为环氧树脂具备高透光性和较高的折射率(约1.50),优异的电绝缘性能,并且具有优良的力学性能和粘接性能。并且由于其较低的成本、成熟的制造技术、配方灵活多变和电气特性等因素,致使环氧树脂封装材料在传统小功率LED封装材料领域占据绝大部分的市场份额,约占90%。但是环氧树脂中含有环氧基团,而环氧基团在高温时会发生氧化反应导致树脂变黄,降低树脂的透光率,最终影响LED的光通量;或者环氧树脂中含有不耐紫外线的芳香环,芳香环可以吸收紫外线,然后发生氧化等一系列反应而形成发色团导致使环氧树脂变色,进而降低封装材料的透光率影响LED的光通量,因此限制了环氧树脂封装材料的应用。而有机硅材料由于具有良好的光学性能和热稳定性能,正逐渐地取代环氧树脂封装材料及其他材料,并在大功率高亮度LED应用中发挥重要作用。

大功率LED器件的核心大多数是由氮化镓(GaN)等半导体材料制成的P-N结,其折射率在2.2左右,因此为提高能量的转化效率,需要求用于保护密封芯片的封装材料的折射率不低于1.50,而结构最简单的聚甲基硅氧烷的折射率约为1.40。因此为适应功率型LED器件的需要,提高有机硅材料的折射率势在必行。目前研究最成熟,应用最普遍以提高有机硅材料折射率的方式是往有机硅分子链中引入含苯基硅氧烷与含氢硅氧烷。引入含苯基硅氧烷是因为苯基具有较高的折射率;引入含氢硅氧烷是因为甲基的折射率较低,引入含氢硅氧烷可以有效降低有机硅材料中含甲基硅氧烷的质量分数。

发明内容

本发明的目的在于克服上述缺陷而提供一种超高分子量改性聚硅氧烷及其制备方法,所述改性聚硅氧烷折射率高,所述制备方法产率高、易于实现工业化。

为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:一种超高分子量改性聚硅氧烷,所述改性聚硅氧烷是将硫元素引入聚甲基乙烯基硅氧烷或聚甲基氢硅氧烷中所得。

优选的,所述硫元素是以噻唑类或二硫代氨基甲酸盐类基团的形式引入。

优选的,所述噻唑类的结构式为其中X为氢或金属原子或其他有机基团。

优选的,所述二硫代氨基甲酸盐类的结构式为

其中R1和R2为烷基或芳基,Me为金属原子,n为金属原子价。

另外,本发明公开一种制备上述所述超高分子量改性聚硅氧烷的制备方法,所述方法为取聚甲基乙烯基硅氧烷或聚甲基氢硅氧烷于反应瓶中,加入引发剂,搅拌,然后加入噻唑类或二硫代氨基甲酸盐类加热至64-100℃回流反应5-20小时即得所述超高分子量改性聚硅氧烷。

优选的,所述引发剂的反应量为聚甲基乙烯基硅氧烷或聚甲基氢硅氧烷反应质量的0.5%-1.5%。

优选的,所述引发剂为过氧化物或偶氮类。

优选的,所述聚乙烯基甲基硅氧烷或聚甲基氢硅氧烷中含乙烯基或含氢20%-50%,重均分子量为8000-1000000。

本发明的有益效果在于:本发明所述超高分子量改性聚硅氧烷通过将硫元素引入聚甲基乙烯基硅氧烷或聚甲基氢硅氧烷中,提高了聚硅氧烷的折射率。所述超高分子量改性聚硅氧烷的制备方法产率高,易于实现工业化。

具体实施方式

为更好的说明本发明的目的、技术方案和优点,下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。

实施例1

取200.0g聚甲基乙烯基硅氧烷(乙烯基50%,重均分子量为8000)于反应瓶中,加入18g偶氮二异丁腈(AIBN),加入2-巯基苯并噻唑(MBT)约400.0g,加热至75℃反应10小时。

实施例2

取200.0g聚甲基氢硅氧烷(含氢30%,重均分子量为20000)于反应瓶中,加入20g偶氮二异丁腈(AIBN),加入2-巯基苯并噻唑(MBT)约400.0g,加热至80℃反应12小时。

实施例3

取200.0g聚甲基乙烯基硅氧烷(乙烯基20%,重均分子量为200000)反应瓶中,加入10g异丙苯过氧化氢(DCP),250mL甲苯,回流,加热至40℃并搅拌使聚甲基乙烯基硅氧烷溶解。然后加入硫醇基苯并噻唑锌盐(MZ)约100g,加热至100℃反应20小时。

实施例4

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学,未经华南师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710545497.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top