[发明专利]护膜在审
| 申请号： | 201710545410.8 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN108873601A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 游秋山;许倍诚;李信昌;林宜彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/64 | 分类号： | G03F1/64 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 护膜 止回阀 垫片 薄膜 表面界定 使用寿命 掩膜 配置 外部 延伸 配合 | ||
【权利要求书】：
1.一种护膜，其特征在于，包括：
框架，其中所述框架包括：
止回阀，其中所述止回阀被配置成允许气体从所述护膜的内部流至所述护膜的外部；且
所述框架的底表面界定出凹槽；
薄膜，延伸跨越所述框架；以及
垫片，被配置成配合在所述凹槽内。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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