[发明专利]中子捕获治疗系统

权利要求书

1.一种中子捕获治疗系统，包括射束整形体，其特征在于：所述射束整形体包括射束入口、设于射束整形体内的中子产生部、邻接于中子产生部的缓速体、包围在中子产生部和缓速体外的反射体及射束出口，所述中子产生部与自所述射束入口入射的质子束发生核反应以产生中子，所述中子产生部具有轴线，所述缓速体将自所述中子产生部产生的中子缓速，所述反射体将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度，所述射束整形体包括至少一个能够向远离或者靠近中子产生部方向运动的活动件，所述活动件具有第一位置和第二位置，所述活动件在该第一位置和第二位置之间运动，当活动件位于第一位置时，中子产生部能够被更换；当活动件位于第二位置时，中子产生部不能够被更换，所述活动件为部分反射体或者部分反射体与部分缓速体的组合，所述反射部包括第一连接部，所述活动件包括第二连接部，当活动件位于第一位置时，所述第一连接部和第二连接部分离；当活动件位于第二位置时，所述第一连接部与第二连接部相结合。

2.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述活动件为部分反射体，所述中子产生部设置在所述缓速体的前方被所述反射体包覆住，所述缓速体邻接在所述中子产生部的后方。

3.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述活动件具有对称平面，所述活动件沿该对称平面对称，所述中子产生部具有轴线，所述活动件的对称平面经过所述中子产生部的轴线，所述反射体具有垂直于轴线方向以及活动件运动方向的第一直线高度，所述活动件具有垂直于轴线方向以及活动件运动方向的第二直线高度，所述中子产生部具有垂直于轴线方向以及活动件运动方向的第三直线高度，所述第二直线高度小于或者等于第一直线高度而大于第三直线高度。

4.根据权利要求2所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述反射体具有第一连接部，所述第一连接部具有第一连接面和第一结合面，所述活动件具有第二连接部，所述第二连接部具有第二连接面和第二结合面，当活动件垂直于轴线方向以及活动件运动方向的第二直线高度小于反射体垂直于轴线方向以及活动件运动方向的第一直线高度而大于中子产生部垂直于轴线方向以及活动件运动方向的第三直线高度时，所述反射体的第一连接面与第一结合面重合，所述活动件的第二连接面与第二结合面重合，所述活动件的第二结合面与反射体的第一结合面连接且与所述中子产生部轴线所在的任意一个平面重合。

5.根据权利要求2所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述反射体具有第一连接部，所述第一连接部具有第一连接面和第一结合面，所述活动件具有第二连接部，所述第二连接部具有第二连接面和第二结合面，当所述活动件垂直于轴线方向以及活动件运动方向的第二直线高度等于反射体垂直于轴线方向以及活动件运动方向的第一直线高度时，所述第一连接面和第一结合面连接但位于不同平面，所述第二连接面与第二结合面连接但位于不同平面，所述第一连接面与第二连接面连接，第一结合面与第二结合面连接。

6.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述中子捕获治疗系统还包括驱动组件，所述驱动组件包括承载活动件的门闸及允许门闸向远离或者靠近中子产生部方向运动的导轨，所述门闸沿导轨向远离或者靠近射束整形体的方向运动，当门闸向远离射束整形体方向运动时，所述活动件向远离中子产生部的方向运动；当门闸向靠近射束整形体的方向运动时，所述活动件向靠近中子产生部的方向运动。

7.根据权利要求6所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述导轨设于射束整形体外，当活动件的第二直线高度小于反射体的第一直线高度时，所述驱动组件还包括支撑架，所述支撑架的一端支撑门闸另一端在导轨中运动，所述门闸随着支撑架沿导轨运动而向远离或者靠近射束整形体的方向运动。

8.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述中子捕获治疗系统还包括驱动组件，所述驱动组件包括门闸及支撑门闸并允许门闸转动的转动件，所述门闸支撑活动件，当门闸绕转动件向上转动时，所述活动件向靠近中子产生部的方向运动；当门闸绕转动件向下转动时，所述活动件向远离中子产生部的方向运动。