[发明专利]一种GaAs基粗化层结构的倒装LED外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种GaAs基粗化层结构的倒装LED外延片的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：

a)将GaAs衬底放在MOCVD设备生长室内，通入，升温至750±20℃烘烤30分钟，并通入, 去除GaAs衬底表面水、氧，完成表面热处理；

b)将MOCVD设备生长室内温度降低至700±20℃，通入TMGa和，在GaAs衬底上生长厚度为100-300nm的GaAs缓冲层（1）；

c)将MOCVD设备生长室内温度升高至750±20℃，通入TMGa、TMIn和，在GaAs缓冲层（1）上方生长厚度为100-500nm的腐蚀阻挡层（2），即n型GaxIn1-xP；

d)将MOCVD设备生长室内温度降低至700±20℃，通入TMGa和，停止TMIn和的通入，在腐蚀阻挡层（2）上方生长厚度为100-500nm的GaAs欧姆接触层（3）；

e)将MOCVD设备生长室内温度保持在700±20℃，通入TMA1、TMGa、TMIn和，停止的通入，在欧姆接触层（3）上生长厚度为2-5um的N-Al_xGa_1-xInP第一粗化层（4）；

f)将MOCVD设备生长室内温度保持在700±20℃，通入，停止通入TMIn和，在N-Al_xGa_1-xInP第一粗化层（4）上生长厚度为0.3-0.5um的N-Al_xGa_1-xAs第二粗化层（5）；

g)将MOCVD设备生长室内温度保持在700±20℃，在N-Al_xGa_1-xAs第二粗化层（5）上生长厚度为300-1000nm的n型(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP下限制层；

h)将MOCVD设备生长室内温度保持在700±20℃，在(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP下限制层（6）上生长厚度为0.1um-0.3um的多量子阱发光区（7），即阱(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP/垒(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP多量子阱发光区, 其中0≤x＜y≤1；

i)将MOCVD设备生长室内温度保持在700±20℃，在多量子阱发光区（7）上生长厚度为100-500nm的p型(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP上限制层；

j)将MOCVD设备生长室内温度提高至780±20℃，在上限制层（8）上生长厚度为0.5-3um的电流扩展层（9），即p型GaP电流扩展层；

k)在电流扩展层（9）上镀一层Al或Au或Ag，即镀一层反光金属层，利用衬底键合机将反光金属层键合在一个新的SiC或Si衬底上；

l)放入HF酸中，将步骤a)中原始GaAs衬底剥离，露出腐蚀阻挡层（2）。

2.根据权利要求1所述的GaAs基粗化层结构的倒装LED外延片的制备方法，其特征在于：所述步骤a)至步骤g)中MOCVD设备生长室内的压力为50-200mbar。

3.根据权利要求1所述的GaAs基粗化层结构的倒装LED外延片的制备方法，其特征在于：所述GaAs缓冲层（1）、N-Al_xGa_1-xInP第一粗化层（4）、N-Al_xGa_1-xAs第二粗化层（5）、n型(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层的N型掺杂源为；所述p型(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层和电流扩展层（9）的P型掺杂源为。