[发明专利]一种外腔式半导体激光器结构

权利要求书

1.一种外腔式半导体激光器结构，其特征在于：包括激光二极管固定片(1)、透镜安装基座(2)、套管(3)、可调节套筒基座(4)、L型支架(5)、光栅固定基座(6)、反射镜固定基座(7)、外壳(8)、热沉(9)和底座(10)；所述透镜安装基座(2)一方面用于激光二极管和准直透镜的定位与固定，另一方面通过顶部螺纹安装在套管(3)内；套管(3)通过底部和侧面的螺纹实现与可调节套筒基座(4)的定位，通过热沉(9)上的螺母进行固定与压紧；光栅固定基座(6)用于固定光栅与自由行程的压电芯片，实现腔长的调节；反射镜固定基座(7)通过光栅固定基座(6)实现定位，并紧固在光栅固定基座(6)上；热沉(9)一面通过紧固螺钉与可调节套筒基座(4)连接，另一面通过两侧的固定槽与底座(10)连接，并实现半导体制冷器的定位与压紧；外壳(8)和热沉(9)均安装在底座上，底座(10)位于激光器的最底部，与外壳(8)构成了激光器的封闭结构。

2.根据权利要求1所述的一种外腔式半导体激光器结构，其特征在于：所述的可调节套筒基座(4)与热沉(9)在结构上是分立的，之间通过半导体制冷器隔离，并通过螺钉连接成一个整体。

3.根据权利要求1所述的一种外腔式半导体激光器结构，其特征在于：L型支架(5)通过螺纹结构与可调节套筒基座(4)进行连接，可调节套筒基座(4)上的调节旋钮配合使用六角扳手可改变L型支架(5)的竖直与水平方向上的偏角。

4.根据权利要求1所述的一种外腔式半导体激光器结构，其特征在于：所述的光栅为反射式全息光栅，所述的反射式全息光栅与光栅固定基座(6)通过压电芯片(PZT)连接，通过改变压电芯片上的负载电压实现外腔腔长的调节。

5.根据权利要求1所述的一种外腔式半导体激光器结构，其特征在于：所述的准直透镜为非球面准直透镜，所述非球面准直透镜与激光光源通过透镜安装基座(2)实现同轴定位，并通过螺钉与套管(3)固定；套管(3)通过锁紧螺母紧固在可调节套管基座(4)上。

6.根据权利要求1所述的一种外腔式半导体激光器结构，其特征在于：所述反射镜固定基座(7)用于安装反射镜，使经过光栅的零级光再一次被反射这样在调节腔长时能够实现出射光平移变动而不是转动。