[发明专利]光电转换设备、成像系统、及光电转换设备的制造方法有效
申请号: | 201710544402.1 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN107591418B | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 碓井崇;鸟居庆大;大贯裕介;稻秀树 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/144;H01L27/146 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 周博俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 设备 成像 系统 制造 方法 | ||
1.一种光电转换设备,其特征在于,包括:
光电转换单元,被设置在基板中;
波导构件,被设置在光电转换单元的上方;以及
绝缘构件,被设置在基板的上方,并且包围波导构件的至少一部分,
其中波导构件具有从基板按以下顺序布置的第一侧面、第二侧面和第三侧面,
其中第一侧面、第二侧面和第三侧面中的每个都是倾斜的,
其中第二侧面和第三侧面连续连接,
其中第二侧面的倾斜角小于90度,
其中第一侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角,以及
其中第三侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角,
其中绝缘构件包括与第一侧面接触的第一绝缘膜、与第二侧面接触的第二绝缘膜、和与第三侧面接触的第三绝缘膜,
以及其中第二绝缘膜的成分与第一绝缘膜的成分不同,并且与第三绝缘膜的成分不同。
2.如权利要求1所述的光电转换设备,还包括:
布线,被设置在基板的上方,
以及其中第二绝缘膜被设置成与布线的上表面接触。
3.如权利要求2所述的光电转换设备,
其中第一绝缘膜比第二绝缘膜厚,以及
其中第三绝缘膜比第二绝缘膜厚。
4.如权利要求3所述的光电转换设备,
其中布线包括金属,以及
其中第二绝缘膜中的金属的扩散系数分别小于第一绝缘膜中的金属的扩散系数和第三绝缘膜中的金属的扩散系数。
5.如权利要求4所述的光电转换设备,
其中第一绝缘膜的成分包含硅和氧,
其中第二绝缘膜的成分包含硅和选自碳和氮的至少一种元素,以及
其中第三绝缘膜的成分包含硅和氧。
6.如权利要求5所述的光电转换设备,
其中波导构件覆盖布线的至少一部分。
7.如权利要求1所述的光电转换设备,还包括:
多个像素,
其中所述多个像素中的每个像素包括:光电转换单元,被配置为接收在光电转换单元处生成的电荷的浮置扩散部分,连接到浮置扩散部分的放大单元,以及被配置为在与光电转换单元和浮置扩散部分不同的部分处保持电荷的电荷保持部分。
8.如权利要求7所述的光电转换设备,
其中波导构件覆盖电荷保持部分的至少一部分。
9.如权利要求7所述的光电转换设备,还包括:
遮光部分,被配置为覆盖电荷保持部分,
其中波导构件至少部分地覆盖遮光部分。
10.如权利要求9所述的光电转换设备,
其中波导构件覆盖遮光部分的一部分,遮光部分的所述部分覆盖电荷保持部分。
11.如权利要求9所述的光电转换设备,
其中从基板到遮光部分的上表面的第一距离比从基板到第一侧面与第二侧面之间的边界的距离短。
12.如权利要求11所述的光电转换设备,还包括:
布线,被设置在基板的上方并连接到浮置扩散部分,
其中第一距离比从基板到布线的第三距离短。
13.如权利要求12所述的光电转换设备,
其中第二距离比第三距离长。
14.如权利要求13所述的光电转换设备,
其中绝缘构件包括与第一侧面接触的第一绝缘膜、与第二侧面接触的第二绝缘膜、以及与第三侧面接触的第三绝缘膜,以及
其中第二绝缘膜被设置成与所述布线的上表面接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的