[发明专利]一种综合保护装置、制备方法以及金属隔离均热板

权利要求书

1.一种综合保护装置，应用于工业级的IGBT电力半导体器件的芯片封装过程中，其特征在于，包括：

散热底板，所述IGBT电力半导体器件设置在所述散热底板的上表面；

至少一个引出端子，分别固定设置在所述IGBT电力半导体器件的上表面；

金属隔离均热板，形状为Π型，两端与所述散热底板紧密相连，构成一个热传导闭合回路，用以将所述IGBT电力半导体器件的工作温度传导到所述散热底板；

功能保护PCB板，设置在所述IGBT电力半导体器件上并与所述引出端子相连，用以对所述IGBT电力半导体器件的工作温度进行传导。

2.如权利要求1所示的综合保护装置，其特征在于，所述功能保护PCB板紧贴固定在所述IGBT电力半导体器件的上表面。

3.如权利要求1所示的综合保护装置，其特征在于，所述功能保护PCB板以嵌入式的形式封装于所述IGBT电力半导体器件内。

4.如权利要求1所示的综合保护装置，其特征在于，所述散热底板上设置有多个具有不同形状的安装槽，每个所述安装槽用于适配安装一个具有对应的功率等级的所述IGBT电力半导体器件；

所述散热底板适用于采用DBC方式封装的所述IGBT电力半导体器件或者采用塑封方式封装的所述IGBT电力半导体器件。

5.如权利要求1所示的综合保护装置，其特征在于，所述散热底板上设置有多个所述IGBT电力半导体器件，每个所述IGBT电力半导体器件上分别对应设置有一个所述功能保护PCB板，以及每个所述IGBT电力半导体器件的上表面分别连接有一个所述引出端子。

6.如权利要求1所示的综合保护装置，其特征在于，所述IGBT电力半导体器件通过低温锡浆形成的焊锡层固化定在所述散热底板上。

7.一种综合保护装置的制备方法，应用于工业级的IGBT电力半导体器件的芯片封装过程中，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、所述IGBT电力半导体器件固化焊接在一安装基板上；

步骤S2、所述安装基板通过低温锡浆形成的焊锡层固定在一散热底板上；

步骤S3、将一功能保护PCB板安装于所述IGBT电力半导体器件上；

步骤S4、将所述功能保护PCB板与至少一个引出端子相连；

步骤S5、采用IC专用胶封装所述IGBT电力半导体器件。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，将所述功能保护PCB板紧贴固定在所述IGBT电力半导体器件的上表面。

9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，将所述功能保护PCB板以嵌入式的方式封装于所述IGBT电力半导体器件内。

10.一种金属隔离均热板，应用于工业级的IGBT电力半导体器件的芯片封装过程中，其特征在于，所述金属隔离均热板的形状为Π型；

所述金属隔离均热板的两端与一散热底板紧密相连，构成一个热传导闭合回路；

所述散热底板的上表面设置有所述IGBT电力半导体器件；

所述金属隔离均热板用以将所述IGBT电力半导体器件的工作温度传导到所述散热底板上。