[发明专利]一种综合保护电路、综合保护装置及塑封装置

权利要求书

1.一种综合保护电路，应用于IGBT电力半导体器件，其特征在于，包括输入保护电路、过温保护电路和过流短路保护电路；

所述输入保护电路的输入端连接所述IGBT电力半导体器件的输入控制电压，所述输入保护电路的输出端连接所述过温保护电路的输入端；

所述过温保护电路的输出端连接所述过流短路保护电路的输入端；

所述过流短路保护电路的输出端连接所述IGBT电力半导体器件的输入端；

所述输入保护电路用于保护所述IGBT电力半导体器件的所述输入控制电压；

所述过温保护电路用于避免所述IGBT电力半导体器件的工作结温快速上升；

所述过流短路电路用于使所述IGBT电力半导体器件在出现过流或短路现象时不被损坏；

所述过温保护电路包括：

负温度传感器，一端连接所述输入保护电路的所述输出端，另一端连接一第二节点；

正温度传感器，所述正温度传感器的一端连接所述IGBT电力半导体器件的零电压端，另一端连接所述第二节点；

第一隔离二极管，输入端连接所述第二节点，输出端连接一单向可控硅的触发极；

所述单向可控硅的正极连接所述IGBT电力半导体器件的所述输入控制电压，所述单向可控硅的负极连接所述零电压端。

2.如权利要求1所示的综合保护电路，其特征在于，所述输入保护电路包括；

P沟道场效应管，所述P沟道场效应管的漏极连接所述输入保护电路的所述输入端，源极连接所述输入保护电路的所述输出端，栅极连接一第一节点；

N沟道场效应管，所述N沟道场效应管的漏极连接所述输入保护电路的所述输入端，源极连接所述输入保护电路的所述输出端；

第一电阻，连接在所述输入保护电路的所述输入端和所述第一节点之间；

第二电阻，连接在所述输入保护电路的所述输出端和第一节点之间。

3.如权利要求1所示的综合保护电路，其特征在于，所述过流短路保护电路包括；

第一分压电阻，连接所述过温保护电路的输出端和一第三节点之间；

第二分压电阻，连接在所述第三节点和一第四节点之间；

第三分压电阻，连接在所述第四节点和所述零电压端之间；

第二隔离二极管，正极连接所述第四节点，负极连接所述单向可控硅的所述触发极；

快速恢复二极管，正极连接所述第三节点，负极连接所述IGBT电力半导体器件的所述输入端；

延时电容，并联在所述第三分压电阻的两端。

4.一种综合保护装置，包括如权利要求1-3中任意一项所述综合保护电路，应用于IGBT电力半导体器件，其特征在于，包括电子元器件，所述电子元器件包括所述权利要求1-3中任意一项所述的综合保护电路；

所述综合保护装置还包括；

电路基板，固定设置于所述IGBT电力半导体器件上，多个所述电子元器件分别排列于所述电路基板的中间区域；

引出接线端子，固定设置在所述电路基板的两侧。

5.如权利要求4所述的综合保护装置，其特征在于，所述电路基板为印制电路板；

所述电路基板设置于所述IGBT电力半导体器件的上方。

6.如权利要求4所述的综合保护装置，其特征在于，所述电路基板为覆铜板；

所述电路基板嵌入封装在所述IGBT电力半导体器件的内部。

7.如权利要求5或6所述的综合保护装置，其特征在于，所述引出接线端子设置有第一接线端、第二接线端、第三接线端、第四接线端；

所述第一接线端接入所述IGBT电力半导体器件的输入控制电压；

所述第二接线端、所述第三接线端、所述第四接线端分别连接相对应的所述IGBT电力半导体器件；

所述第一接线端与所述第三接线端相对于所述电子元器件排列的区域分别设置于所述电路基板的两侧；

所述第二接线端与所述第一接线端设置于所述电路基板的同侧；

所述第四接线端与所述第三接线端设置于所述电路基板的同侧。