[发明专利]一种闪存存储器的抗总剂量辐照加固方法有效
| 申请号： | 201710542846.1 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109213620B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李梅;毕津顺;戴茜茜;刘明;李博;习凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C7/24 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 存储器 剂量 辐照 加固 方法 | ||
1.一种闪存存储器的抗总剂量辐照加固方法，其特征在于，包括：
步骤一、提供闪存存储阵列，以及与所述闪存存储阵列相邻的监控存储阵列；其中，所述监控存储阵列的默认状态为逻辑“0”值；
步骤二、在所述闪存存储阵列不工作时，关闭所述闪存存储阵列与外围电路的连接，使所述监控存储阵列开始工作，并在监控阵列单元的栅极施加读取电压；
步骤三、将所述监控存储阵列的位线总电流输出，并与参考电流阈值进行比较；
步骤四、判断比较结果，若所述位线总电流小于所述参考电流，隔固定时间后再次对所述监控存储阵列进行读操作；若所述位线总电流大于等于所述参考电流，则对所述闪存存储阵列和所述监控存储阵列执行刷新操作。
2.根据权利要求1所述的抗总剂量辐照加固方法，其特征在于，所述闪存存储阵列还包括串选择管，用于控制所述闪存存储阵列的位线与外围电路的连接。
3.根据权利要求1所述的抗总剂量辐照加固方法，其特征在于，所述监控存储阵列还包括监控存储阵列选择管，用于控制所述监控存储阵列的位线总电流的输出和比较。
4.根据权利要求2所述的抗总剂量辐照加固方法，其特征在于，所述步骤二的关闭所述闪存存储阵列与外围电路的连接包括将所述串选择管设置为无效。
5.根据权利要求3所述的抗总剂量辐照加固方法，其特征在于，所述步骤二还包括将所述监控存储阵列选择管的控制线信号设置为有效状态。
6.根据权利要求1所述的抗总剂量辐照加固方法，其特征在于，所述步骤三还包括将所述监控存储阵列的位线总电流输出到电流型放大器，并在电流型放大器中与所述参考电流阈值进行比较。
7.根据权利要求6所述的抗总剂量辐照加固方法，其特征在于，所述参考电流阈值大于0，并且小于所述监控存储阵列的存储单元的逻辑值临近翻转时的位线总电流的值。
8.根据权利要求1所述的抗总剂量辐照加固方法，其特征在于，所述步骤四中的刷新操作包括将所述闪存存储阵列中所有读“0”的单元以及所述监控存储阵列中所有读“1”的单元重新编程。
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