[发明专利]半导体装置

说明书

提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；位线结构，位于基底上；第一接触结构，位于位线结构的侧壁上；第二接触结构，位于位线结构上并且跨过位线结构与第一接触结构分隔开；以及绝缘图案，位于位线结构与第一接触结构之间。第二接触结构覆盖位线结构的顶表面的至少一部分。绝缘图案包括从绝缘图案的与位线结构直接相邻的侧壁突出的突起。突起沿与基底的顶表面平行的第一方向突出。

本申请要求于2016年7月12日提交的第10-2016-0087821号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本发明构思涉及半导体装置，更具体地，涉及具有增强的可靠性的半导体装置。

背景技术

由于半导体装置的诸如尺寸小、多功能和/或低制造成本等特点，因此半导体装置可以在电子工业中占有重要低位。半导体装置可被分类为存储逻辑数据的半导体存储器装置、处理逻辑数据操作的半导体逻辑装置或者兼具存储器和逻辑元件的混合半导体装置。

对具有高速度和/或低操作电压的半导体装置的需求已日益增加。为满足上述需求，半导体装置已经更加高度集成。半导体装置的高集成度会导致半导体装置的可靠性的劣化。然而，随着电子工业的进步，对半导体装置的高可靠性的需求会日益增加。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种能够将组件电分离以使其电分开的半导体装置。

本发明构思的实施例提供了一种具有高可靠性的半导体装置。

然而，本发明构思不限于在此提及的被描述的实施例。

根据本发明构思的一些实施例。一种半导体装置包括在其上具有导电接触结构的基底。导电接触结构分别包括第一导电图案和在第一导电图案上堆叠的第二导电图案，第二导电图案的材料与第一导电图案的材料不同。不对称的绝缘图案将导电接触结构彼此电隔离。不对称的绝缘图案包括从其第一侧壁表面侧向延伸到导电接触结构中的一个导电接触结构的第一导电图案中的突起。不对称的绝缘图案的与第一侧壁表面相对的第二侧壁表面不具有突起并且沿着导电接触结构中的另一个导电接触结构的第二导电图案延伸。

根据本发明构思的一些实施例，一种半导体装置可以包括：基底；位线结构，位于基底上；第一接触结构，位于位线结构的侧壁上；第二接触结构，位于位线结构上并且跨过位线结构与第一接触结构分隔开；绝缘图案，位于位线结构与第一接触结构之间。第二接触结构可以在位线结构的顶表面的至少一部分上延伸或者覆盖位线结构的顶表面的至少一部分。绝缘图案可以包括从绝缘图案的与位线结构最为相邻的侧壁突出的突起。突起可以沿与基底的顶表面平行的第一方向突出。

根据本发明构思的一些实施例，一种半导体装置可以包括：基底；位线结构，位于基底上；第一接触结构，位于位线结构的侧壁上；第二接触结构，位于位线结构上并且跨过位线结构与第一接触结构分隔开；绝缘图案，位于位线结构与第一接触结构之间。第二接触结构可以在位线结构的顶表面的至少一部分上延伸或者覆盖位线结构的顶表面的至少一部分。绝缘图案可以包括在位线结构与第一接触结构之间的突起。突起可以在与基底的顶表面交叉的方向上从绝缘图案的底表面突出。

附图说明

图1是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的平面图。

图2示出沿着图1的线I-I'和线II-II'截取的剖视图。

图3是用于解释根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的制造方法的平面图。

图4至图6示出沿着图3的线I-I'和线II-II'截取的剖视图。

图7是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的平面图。

图8示出沿着图7的线I-I'和线II-II'截取的剖视图。

图9是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的平面图。