[发明专利]一种CSP封装的高压LED芯片结构及制作方法

权利要求书

1.一种CSP封装的高压LED芯片结构，包括高压LED芯片、荧光胶、封装基板，其特征在于，所述LED高压芯片倒装焊接在封装基板上，每个高压芯片包含多个子芯片，各子芯片通过隔离深沟槽隔开，所述每个子芯片包含n型GaN层、有源层、p型GaN层、电流扩展层以及n电极和p电极，其中n电极通过金属导电层延伸到n型GaN斜坡上，此金属导电层通过绝缘层与p型GaN和有源层侧壁隔离；所述n电极和p电极均位于p型GaN上面并电隔离，n电极和p电极与封装基板对应电极焊盘和互联线焊接起来。

2.根据权利要求1所述的CSP封装的高压LED芯片结构，其特征在于所述n电极、p电极以及金属导电层采用Ag、Al、Ni等三种导电性和反射性能都较好的金属，其采用单层金属结构或多层金属结构。

3.根据权利要求1所述的CSP封装的高压LED芯片结构，其特征在于所述电流扩散层可以是ITO薄膜，也可以是金属薄膜。

4.根据权利要求1所述的CSP封装的高压LED芯片结构，其特征在于所述绝缘层可以是氮化硅、氧化硅或氮化铝材料组成，也可以是这些材料组合的DBR结构。

5.根据权利要求1所述的CSP封装的高压LED芯片结构，其特征在于剥离衬底后在n型GaN上喷涂形成荧光粉和保护胶层。

6.一种CSP封装的高压LED芯片的制作方法，包括以下步骤：

步骤1，提供衬底，在其上生长外延层，依次为n型GaN层、有源层、p型GaN层、电流扩散层；

步聚2，蚀刻外延层至n型GaN层，在侧壁形成斜面，在n型GaN表面形成台面后，垂直蚀刻至衬底，形成子芯片间的深隔离沟槽；

步聚3，在芯片表面覆盖绝缘层，并对绝缘层进行蚀刻，形成各子芯片的n电极和p电极通孔；

步骤4，在绝缘层上形成高反射率的金属导电层，并图形化形成各子芯片的p电极焊盘和n电极焊盘，n电极焊盘通过金属导电层延伸到n型GaN台面上；

步聚5，把高压芯片各子芯片的n电极和p电极与封装基板对应的电极焊盘和互连线焊接起来；

步聚6，激光剥离衬底，并在n型GaN上喷涂荧光粉及保护胶层；

步骤7，切割成独立器件。