[发明专利]一种带过温保护的温度检测电路

说明书

技术领域

本发明属于模拟集成电路技术领域，尤其涉及一种带有过温保护功能的温度检测电路。

背景技术

随着IC行业的迅速发展，芯片集成度越来越高，性能越来越好，功耗越来越大，使得集成电路在长时间使用或某些诸如短路等异常情况下，芯片温度会迅速升高。

在当今的集成电路设计中，芯片的工作温度对其性能有着不可忽略的影响，高温会对芯片的稳定性产生影响，且过热会使芯片无法正常工作，甚至可能会损坏电子器件，所以尤其在大功率高性能集成电路中，过温保护显得尤为重要；在许多高精度的电路中，甚至需要监测芯片工作的实时温度，以得知芯片性能的实时参数。在模拟电路中，可利用一些半导体器件参数与温度的线性关系来转换为对温度的检测。

发明内容

本发明解决的问题，就是针对常规电路的温度保护模块会在阈值附近产生热振荡、且无法得知芯片工作具体温度等一系列问题，提供一种带有可防止热振荡的过温保护功能且能实时监测的温度检测电路。

为了解决上述问题，本发明采用如下技术方案：

一种带有迟滞过温保护功能的温度检测电路，包含基准电压产生部分，过温保护模块部分，温度检测部分；

所述的基准电压产生电路1，其特征在于，所述电路部分包含低温飘带隙基准电压产生部分5和PTAT带隙基准电压产生部分6；低温飘带隙基准电压产生部分5中，电阻R5一端接电源VDD，另一端接MN1漏端，MN1源端接电阻R6的一端，R6的另一端和R8、R9相连，R8和R9的另一端，分别与QP4和QP5的集电极相连，QP4和QP5的发射极与电阻R10的一端相连，电阻R10另一端接地，运放OP1的输出端接MN1的栅极，负端接QP4的集电极，正端接QP5的集电极，QP4的基极与OP1的正端相接，QP5的基极与R6、R8、R9的连接点相接，QP4的发射极面积为QP5的8倍，MN1的源端为低温飘基准电压VREF1的输出端，R7的一端接VREF1，另一端接C1上极板，C1下极板接地；PTAT带隙基准电压产生部分6中的电阻R11一端接地，另一端接QP6的发射极，QP6的发射极面积与QP5一样，QP6的基极与QP4的基极相连，QP6的集电极与MN2的源端相连，MN2的栅端与QP6的集电极相连，MN2的漏端与MP3的漏端相连，MP3的源端与MP2的漏端相连，MP2的源端接电源，MP3的漏端与MP2的栅端短接，MP2和MP3的栅端分别与MP4和MP5的栅端短接，MP4源端接电源，MP4漏端接MP5源端，MP5漏端接R12的一端，R12另一端接地，MP5的漏端为VREF2，R18一端接MP5漏端，另一端接C2上极板，C2下极板接地；

所述的过温保护电路3，其特征在于，所述部分包含PTAT电流产生部分4和使能逻辑产生部分；PTAT电流产生部分4中，MP1的源端接电源，栅漏短接，MP1的漏端与R1和R2的一端相连，R1、R2的另一端分别与QP1、QP2的集电极相连，QP1与QP2的基极相连，QP1基极与集电极短接，QP2的发射极面积为QP1的8倍，QP1的发射极接地，QP2的发射极与R3的一端相连，R3的另一端接地，QP3的基极与QP2的集电极相连，QP3的发射极接地，QP3的集电极与电阻R4的一端相连，R4的另一端接电源VDD，施密特反相器的输入端接QP3的集电极，INV1的输出端为热保护关断信号SHDN；

所述温度检测部分2，其特征在于，包含低温飘基准钳位部分7和PTAT电压钳位部分8；在包含低温飘基准钳位部分7中，运放OP2的负端接VREF1，正端接MP6的漏端，OP2的输出接MP6的栅端，MP6的源端接电源VDD，R13的一端接OP2的输出，一端接电容C3，电容C3的另一端接MP6的漏端，MP6的漏端与MN3的漏端相连，MN3的源端接地，MN3的栅端接电流源偏置电压Vbias，电阻R16的一端接OP2的正端，另一端接OP3的正端，OP3的负端接VREF2，OP3的输出端接MP7的栅端，MP7的源端接电源VDD，MP7的漏端与MN4的漏端相连，电阻R14一端与OP3的输出端相连，另一端与C4相连，C4的另一端与MP7的漏端相连，OP4的负端接VREF2且与OP3的负端相连，OP4的正端与OP3的正端相连，OP4的输出端接MN4的栅端，R15一端与OP4输出端相连，另一端与电容C5相连，电容C5的另一端与MN4的漏端相连，MN4源端接地，R17的一端与R16相连，另一端与MN4漏端相连，C6一端与R17、R16的连接点相连，另一端接地，MP7的漏端与MN4的漏端为温度采样电压Vsense；