[发明专利]TMAH硅雾化气相刻蚀系统

权利要求书

1.一种TMAH硅雾化气相刻蚀系统，其特征在于：包括雾化腔（24）和刻蚀腔（12），所述刻蚀腔（12）顶面放置晶元夹具（3）、并通过背面保护腔（5）盖合密封；所述雾化腔（24）和刻蚀腔（12）之间通过雾化液滴输送管（25）连通，所述雾化液滴输送管（25）上安装雾化流量阀（26）；所述雾化腔（24）内盛装TMAH溶液（23）、且其底面安装超声换能器（22）和风动装置（21）；所述刻蚀腔（12）通过回流管（13）与冷凝腔（15）进口连接，所述回流管（13）上安装回流阀（14），所述冷凝腔（15）出口连接液体回流管（20），所述液体回流管（20）伸入雾化腔（24）并没入TMAH溶液（23）中，所述液体回流管（20）上连接尾气处理接口（18）；所述冷凝腔（15）通过冷却水进水管路（16a）和冷却水回水管路（16b）连接水冷机（17）；

所述刻蚀腔（12）和背面保护腔（5）内壁均设置有加热丝（7），所述背面保护腔（5）内安装背面保护腔温度传感器（8）；所述刻蚀腔（12）内安装刻蚀腔温度传感器（11）和刻蚀腔压力传感器（31）；所述雾化腔（24）内安装雾化器压力传感器（19）；

所述雾化腔（24）连接氮气管路Ⅰ（27），所述氮气管路Ⅰ（27）上安装氮气流量阀Ⅰ（28）；所述刻蚀腔（12）连接氮气管路Ⅱ（30），所述氮气管路Ⅱ（30）上安装氮气流量阀Ⅱ（29）；所述氮气管路Ⅰ（27）和氮气管路Ⅱ（30）并接后连接氮气源。

2.根据权利要求1所述的TMAH硅雾化气相刻蚀系统，其特征在于：所述刻蚀腔（12）和背面保护腔（5）外表面均设置有保温层（6）。

3.根据权利要求1或2所述的TMAH硅雾化气相刻蚀系统，其特征在于：还包括传送系统，所述传送系统包括液压泵（9），所述液压泵（9）通过液压传动机构（4）控制背面保护腔（5）的打开和密封盖合；所述传送系统包括步进电机（34），所述步进电机（34）控制机械臂（33）实现晶元夹具（3）的放置和取出；所述机械臂（33）位于传送腔（2）内，所述传送腔（2）内设置喷淋装置（32）。

4.根据权利要求1所述的TMAH硅雾化气相刻蚀系统，其特征在于：所述雾化腔（24）、刻蚀腔（12）、背面保护腔（5）均采用石英或聚四氟乙烯材料制成；所述晶元夹具（3）采用聚四氟乙烯材料制成。

5.根据权利要求1所述的TMAH硅雾化气相刻蚀系统，其特征在于：所述氮气流量阀Ⅰ（28）、氮气流量阀Ⅱ（29）、回流阀（14）、雾化流量阀（26）及尾气处理接口（18）均采用耐腐蚀电磁阀。

6.根据权利要求1所述的TMAH硅雾化气相刻蚀系统，其特征在于：所述雾化腔（24）内TMAH溶液（23）的浓度高于25%。

7.根据权利要求1所述的TMAH硅雾化气相刻蚀系统，其特征在于：所述刻蚀腔（12）刻蚀温度为110℃-125℃。