[发明专利]背面密封晶片的方法在审
| 申请号： | 201710538436.X | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109216212A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 衬底 背面 密封晶片 氧化层 抛光 边缘氧化物 边缘斜角 衬底背面 正面抛光 外延层 自掺杂 去除 密封 清洗 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种背面密封晶片的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供一完成双面、边缘和切口抛光的晶片衬底；
在所述晶片衬底的背面形成氧化层；
采用边缘氧化物抛光的方法去除所述晶片衬底背面边缘斜角处的氧化层；
对所述晶片衬底进行正面抛光和清洗。
2.根据权利要求1所述的背面密封晶片的方法，其特征在于：采用硅胶分散浆料完成所述晶片衬底的双面、边缘和切口抛光。
3.根据权利要求1所述的背面密封晶片的方法，其特征在于：所述氧化层为低温氧化层。
4.根据权利要求1所述的背面密封晶片的方法，其特征在于：所述氧化层采用低压化学气相沉积法得到。
5.根据权利要求1所述的背面密封晶片的方法，其特征在于：采用包括氧化铈的化学机械研磨浆料进行边缘氧化物抛光以实现边缘斜角清除。
6.根据权利要求5所述的背面密封晶片的方法，其特征在于：边缘斜角清除的厚度小于等于3mm。
7.一种外延晶片的方法，其特征在于：在进行外延生长之前，采用权利要求1-6中任一项所述的背面密封晶片的方法对晶片衬底进行背面密封，然后在所述晶片衬底的正面生长外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
