[发明专利]一种场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

通过含有黑磷纳米片或黑磷量子点的溶液在基板的上方形成有源层，所述有源层位于隔离层上，所述隔离层为六甲基二硅胺或聚甲基丙烯酸甲酯；

在基体上形成导电材料层并通过转印工艺将所述导电材料层转移至所述有源层上；

通过等离子体光刻法对所述导电材料层图案化处理以形成源极图案层和漏极图案层，其中，所述导电材料为石墨烯或碳纳米管的导电碳材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过含有黑磷纳米片或黑磷量子点的溶液在基板的上方形成有源层包括：

使用旋涂法在所述基板的上方将所述含有黑磷纳米片或黑磷量子点的溶液旋涂形成黑磷膜层；

低温真空蒸发所述黑磷膜层以形成黑磷有源层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述基板上依次形成底栅图案层及覆盖所述底栅图案层的底栅绝缘层。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成覆盖所述源极图案层、所述漏极图案层及所述有源层的顶栅绝缘层；

在所述顶栅绝缘层上形成顶栅图案层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述基板的上方形成隔离层，其中，所述有源层形成于所述隔离层上。

6.一种场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管包括：

在基板的上方形成的有源层，所述有源层包括黑磷纳米片或黑磷量子点，所述有源层位于隔离层上，所述隔离层为六甲基二硅胺或聚甲基丙烯酸甲酯；

与所述有源层接触的源极图案层和漏极图案层，所述源极图案层和所述漏极图案层的形成方法为：在基体上形成导电材料层并通过转印工艺将所述导电材料层转移至所述有源层上；通过等离子体光刻法对所述导电材料层图案化处理以形成所述源极图案层和所述漏极图案层，其中，所述导电材料为石墨烯或碳纳米管的导电碳材料。

7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管还包括底栅图案层及底栅绝缘层，所述底栅图案层形成于所述基板上，所述底栅绝缘层覆盖所述底栅图案层。

8.根据权利要求6或7所述的场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管还包括顶栅图案层及顶栅绝缘层，所述顶栅绝缘层覆盖所述源极图案层、所述漏极图案层及所述有源层，所述顶栅图案层形成于所述顶栅绝缘层上。