[发明专利]具有沟槽内渐变厚度的场板结构的半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种具有沟槽内渐变厚度的场板结构的半导体器件的制造方法，包括：

步骤A，在晶圆表面形成沟槽；

步骤B，通过淀积向所述沟槽内填充氧化硅；

步骤C，通过刻蚀去除掉沟槽内的氧化硅表面的一部分；

步骤D，通过热氧化在沟槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构，所述氧化硅拐角结构为从拐角处往下、位于沟槽内部的氧化硅逐渐变厚的结构；

步骤E，在晶圆表面淀积含氮化合物，覆盖所述沟槽内的氧化硅表面及所述氧化硅拐角结构表面；

步骤F，干法刻蚀所述含氮化合物，将沟槽内的氧化硅表面的含氮化合物去除，所述氧化硅拐角结构表面形成向沟槽内延伸的含氮化合物侧壁残留；

步骤G，以所述含氮化合物侧壁残留为掩膜，通过刻蚀去除掉沟槽内的氧化硅表面的一部分；

依次重复执行步骤E至步骤G，直至将沟槽内的氧化硅刻蚀至所需的底部氧化硅厚度，每执行一次步骤F所述含氮化合物侧壁残留就进一步向沟槽内延伸，所述沟槽内的氧化硅包括底部氧化硅和侧壁氧化硅，所述侧壁氧化硅的厚度从沟槽顶部至沟槽底部逐渐增厚；

步骤H，去除所述沟槽内的含氮化合物；

步骤I，向所述沟槽内填入多晶硅。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤B之前还包括对所述沟槽进行侧壁氧化的步骤。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤B是采用高密度等离子化学气相淀积工艺填充氧化硅。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体器件是金属氧化物半导体场效应管。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤A之前在晶圆表面形成有氮化硅层，所述步骤A是将所述氮化硅层刻穿形成所述沟槽。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述沟槽内的含氮化合物的步骤是通过浓磷酸湿法去除含氮化合物。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤D形成氧化硅拐角结构，是在所述沟槽内的氧化硅表面形成类似于半球形的凹面。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通过热氧化在沟槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构的步骤中，氧化温度为800～950摄氏度。

9.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述步骤A和所述步骤F的刻蚀是采用CHCl₃和/或CH₂Cl₂作为刻蚀剂。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述含氮化合物是氮化硅。