[发明专利]光学临近效应的修正方法及系统

说明书

本发明涉及一种光学临近效应的修正方法和系统。该方法包括：对设计图形的外边进行解析分割获得用于处理的片段；获取所述用于处理的片段的线条端的邻边间距，当所述邻边间距大于预设的安全间距时，将位于所述邻边上的目标点向外移动以重新设置邻边上的目标点的位置；使用邻边上新的目标点和线条端的目标点进行线条端的修正。该系统用于实现该方法。上述方法和系统可以避免因存在最大修正幅度或者MRC的限制导致线条端修正不足的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种光学临近效应的修正方法及系统。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体工艺中关键层次比如有源区层次、栅氧层次、金属连线层次的关键尺寸越来越小，已经接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波波长。因此光刻过程中，由于光的衍射和干涉作用，实际硅片上得到的光刻图形与掩膜版图形之间存在一定的变形和偏差。图1a为设计的理想的目标图形的掩膜版，图1b为根据该掩膜版光刻所得的图形。如图1a和图1b所示，由于光的衍射和干涉作用，实际所得的图形(图1b)相比目标图形(图1a)，出现线宽的变化、转角的圆化以及线长的缩短等。

光刻中的这种误差直接影响电路性能和生产成品率。为尽量消除这种误差，一种有效的方法是采取光学临近效应修正。图1c为图1a的设计图形经过光学临近修正后所获得的掩膜版图形，根据该图形进行光刻，得到如图1d所示图形。可以看到，图1d的图形更加接近设计图形。因此光学临近修正方法可以从一定程度上纠正因衍射和干涉作用导致的偏差。

随着光刻关键尺寸越来越小，设计图形也越来越复杂，对光学临近修正的精度提出了更高的要求。

传统的光学临近修正过程一般包括如下步骤：

步骤S1：对设计图形的外边进行解析分割(dissection)获得用于处理的片段(segment)。

步骤S2：根据预设规则在每个片段的固定位置放置目标点。如图2所示，虚线框为设计图形中的某个片段，片段中放置有2个目标点P1和P2。

步骤S3：根据预设模型模拟光刻结果。如图2所示，实线框为模拟所得的图形的边界。

步骤S4：计算模拟结果与设计值之间的差异(EPE)。如图2所示，在目标点P1和P2，设计图形和实际图形都存在偏差d1、d2，一般采用EPE(Edge Placement Error)表示这些偏差。

步骤S5：根据该差异对设计图形进行调整。根据上述偏差进行对应的修正，然后不断重复上述步骤S3～S5得到最终的修正图形，用于掩膜版。

在传统的光学临近效应修正过程中，线条端(line-end)是比较难处理的部分。这是因为光学临近效应修正一般都有最大修正幅度(Move limit)以及MRC(Mask RuleCheck)限制。线条端经常会发生回缩(shortening)现象，参考图3a。由于存在最大修正幅度的限制，模拟图形1在线条端的目标点P3处，会与设计图形2存在差距，即回缩了。

然而由于线条端经常需要连接通孔3(contact)，如果线条端发生回缩，那么通孔处就不能形成全覆盖，如图3b所示，严重时会导致电路失效。

发明内容

基于此，有必要针对线条端在光学临近效应修正时发生回缩的问题，提供一种光学临近效应的修正方法。

一种光学临近效应的修正方法，包括：

对设计图形的外边进行解析分割获得用于处理的片段；

获取所述用于处理的片段的线条端的邻边间距，当所述邻边间距大于预设的安全间距时，将位于所述邻边上的目标点向外移动以重新设置邻边上的目标点的位置；

使用邻边上新的目标点和线条端的目标点进行线条端的修正。