[发明专利]栅极驱动电路、栅极驱动方法、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201710533514.7 | 申请日: | 2017-07-03 |
公开(公告)号: | CN107134269B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 王铁石 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 栅极 驱动 电路 方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种栅极驱动电路,其特征在于,包括:信号输出单元和信号检测单元;
所述信号输出单元用于向对应的像素单元内的薄膜晶体管的栅极输出关闭电压;
所述信号检测单元与对应的所述像素单元内的所述薄膜晶体管的漏极连接,用于在所述信号输出单元向对应的所述像素单元内的所述薄膜晶体管的栅极输出所述关闭电压时,检测对应的所述薄膜晶体管的漏极是否存在漏电流,并在检测出存在所述漏电流时,向所述信号输出单元发送反馈控制信号,以供所述信号输出单元根据所述反馈控制信号调整所述关闭电压;
其中,若信号检测单元检测到所述薄膜晶体管的漏极处电流信号的电流值小于预设的参考阈值时,则检测出所述薄膜晶体管的漏极不存在漏电流;反之,则检测出薄膜晶体管的漏极存在漏电流;
当所述薄膜晶体管为N型薄膜晶体管时,所述信号输出单元根据所述反馈控制信号调低输出至所述薄膜晶体管的栅极的所述关闭电压;
当所述薄膜晶体管为P型薄膜晶体管时,所述信号输出单元根据所述反馈控制信号调高输出至所述薄膜晶体管的栅极的所述关闭电压。
2.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其特征在于,当所述薄膜晶体管为N型薄膜晶体管时,所述信号输出单元包括:第一信号接收模块、第一控制模块和第一电压输出模块;
所述第一信号接收模块用于接收所述信号检测单元发送的所述反馈控制信号;
所述第一控制模块用于在所述第一信号接收模块接收到所述反馈控制信号时控制所述第一电压输出模块将待输出的所述关闭电压调低第一预设值;
所述第一电压输出模块用于输出所述关闭电压。
3.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其特征在于,当所述薄膜晶体管为P型薄膜晶体管时,所述信号输出单元包括:第二信号接收模块、第二控制模块和第二电压输出模块;
所述第二信号接收模块用于接收所述信号检测单元发送的所述反馈控制信号;
所述第二控制模块用于在所述第二信号接收模块接收到所述反馈控制信号时控制所述第二电压输出模块将待输出的所述关闭电压调高第二预设值;
所述第二电压输出模块用于输出所述关闭电压。
4.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其特征在于,所述信号输出单元为栅极阵列行驱动单元或栅极驱动芯片。
5.一种阵列基板,其特征在于,包括如上述权利要求1-4中任一项所述的栅极驱动电路。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如上述权利要求5所述的阵列基板。
7.一种栅极驱动方法,其特征在于,包括:
向对应的像素单元内的薄膜晶体管的栅极输出关闭电压;
检测对应的所述薄膜晶体管的漏极是否存在漏电流,并在检测出存在所述漏电流时,发送反馈控制信号;其中,若检测到所述薄膜晶体管的漏极处电流信号的电流值小于预设的参考阈值时,则检测出所述薄膜晶体管的漏极不存在漏电流;反之,则检测出所述薄膜晶体管的漏极存在漏电流;
根据所述反馈控制信号调整所述关闭电压;
其中,当所述薄膜晶体管为N型薄膜晶体管时,根据所述反馈控制信号调整所述关闭电压的步骤包括:
根据所述反馈控制信号调低输出至所述薄膜晶体管的栅极的所述关闭电压;
当所述薄膜晶体管为P型薄膜晶体管时,根据所述反馈控制信号调整所述关闭电压的步骤包括:
根据所述反馈控制信号调高输出至所述薄膜晶体管的栅极的所述关闭电压。
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