[发明专利]一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法有效
| 申请号: | 201710533294.8 | 申请日: | 2017-07-03 | 
| 公开(公告)号: | CN107285760B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 | 
| 发明(设计)人: | 成鹏飞;宋江 | 申请(专利权)人: | 西安工程大学 | 
| 主分类号: | C04B35/462 | 分类号: | C04B35/462;C04B35/622;C04B35/64 | 
| 代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 杨璐 | 
| 地址: | 710048 *** | 国省代码: | 陕西;61 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 损耗 介电常数 陶瓷材料 制备 方法 | ||
1.一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:
步骤1、于空气气氛下,将CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末及Nd2O3粉末混合均匀,得到前驱粉料;
步骤2、将经步骤1得到的前驱粉料置于烧结炉内,在烧结炉内:以250℃/h的升温速率将温度从室温升至900℃,保温11h,之后随炉冷却,得到预烧粉料;
步骤3、对经步骤2得到的预烧粉料依次进行造粒、过筛及成型处理,得到生坯;
步骤4、对经步骤3得到的生坯依次进行排胶、烧结处理,得到低损耗巨介电常数陶瓷材料,其化学式为Ca1-xNdxCu3Ti4O12,其中x=0.03;
所述步骤4具体按照以下方法实施:
步骤4.1、将经步骤3得到的生坯置于马弗炉内,先以110℃/h的升温速率将温度从室温升至150℃,接着以60℃/h的升温速率将温度升至250℃,接着以50℃/h的升温速率将温度升至350℃,接着以25℃/h的升温速率将温度升至400℃,接着以450℃/h的升温速率将温度升至500℃,最后以65℃/h的降温速率将温度降至370℃,最后随炉冷却,完成排胶;
步骤4.2、将经步骤4.1排胶后的生坯置于烧结炉内,在烧结炉内:以220℃/h的升温速率将温度从室温升至1100℃,然后保温22h,随炉冷却,得到低损耗巨介电常数陶瓷材料,其化学式为Ca1-xNdxCu3Ti4O12,其中x=0.03。
2.根据权利要求1所述的一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法,其特征在于,所述步骤1具体按照以下步骤实施:
步骤1.1、按照摩尔比(1-x):3:4:(x/2),分别称取CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末及Nd2O3粉末,其中x=0.03;
步骤1.2、将步骤1.1中称取的CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末及Nd2O3粉末一起添加到球磨机中,并向球磨机中添加磨球和无水乙醇,开启球磨机进行球磨处理,球磨时间为9h,待球磨结束后得到混合粉料;
步骤1.3、将经步骤1.2得到的混合粉料置于烘箱中烘干,得到前驱粉料。
3.根据权利要求2所述的一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法,其特征在于,在所述步骤1.2中:待球磨物料、磨球与无水乙醇的质量比为1:3.5:0.75;磨球采用的是玛瑙球;球磨机转速为700r/min;球磨机采用行星球磨机。
4.根据权利要求2所述的一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法,其特征在于,在所述步骤1.3中:烘干温度控制为65℃。
5.根据权利要求1所述的一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法,其特征在于,所述步骤3具体按照以下方法实施:
步骤3.1、称取粘合剂PVA添加到经步骤2得到的预烧粉料中,进行造粒处理;
步骤3.2、将经步骤3.1造粒后得到的所有颗粒物过筛网,得到粒径为80目~100目之间的颗粒;
步骤3.3、将经步骤3.2得到的所有颗粒堆砌在一起,于110MPa压强下干压成生坯。
6.根据权利要求5所述的一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法,其特征在于,在所述步骤3.1中:粘合剂PVA的质量为预烧粉料质量的2.5%。
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