[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

多个第一隔离结构，设置在所述基底中；

至少一埋入式字元线，设置在所述基底中，其中所述至少一埋入式字元线与所述多个第一隔离结构相交；以及

至少一第二隔离结构，设置在所述基底中，其中所述至少一第二隔离结构与所述多个第一隔离结构相交，所述至少一第二隔离结构的至少一部分的材料与所述多个第一隔离结构的材料不同，所述至少一第二隔离结构的所述至少一部分的底面低于所述基底的顶面，所述多个第一隔离结构的材料包括氧化物，且所述至少一第二隔离结构的至少一部分的材料包括氮化物。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括一闸介电层，设置在所述至少一埋入式字元线与所述基底之间。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述至少一第二隔离结构包括：

第一隔离层；以及

第二隔离层，位于所述第一隔离层与所述基底之间。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层的材料包括氮化物，且所述第二隔离层的材料包括氧化物。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，由所述多个第一隔离结构与所述至少一第二隔离结构定义出多个主动区，且位于所述至少一第二隔离结构的一侧的所述主动区的上视图案在正斜率的延伸方向上延伸，且位于所述至少一第二隔离结构的另一侧的所述主动区的上视图案在负斜率的延伸方向上延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，由所述多个第一隔离结构与所述至少一第二隔离结构定义出多个主动区，且位于所述至少一第二隔离结构的一侧与另一侧的所述多个主动区的上视图案具有相同的延伸方向。

7.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

在一基底中形成多个第一隔离结构；

在所述基底中形成至少一埋入式字元线，其中所述至少一埋入式字元线与所述多个第一隔离结构相交；以及

在形成所述至少一埋入式字元线之后，在所述基底中形成至少一第二隔离结构，其中所述至少一第二隔离结构与所述多个第一隔离结构相交，所述至少一第二隔离结构的至少一部分的材料与所述多个第一隔离结构的材料不同，所述多个第一隔离结构的材料包括氧化物，且所述至少一第二隔离结构的至少一部分的材料包括氮化物。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述多个第一隔离结构的形成方法包括：

在所述基底上形成一第一图案化硬罩幕层；

以所述第一图案化硬罩幕层为罩幕，移除部分所述基底，而在所述基底中形成多个第一开口；以及

在所述多个第一开口中形成所述多个第一隔离结构，且其中

所述至少一埋入式字元线的形成方法包括：

在所述基底上形成一第二图案化硬罩幕层；

以所述第二图案化硬罩幕层为罩幕，移除部分所述基底，而在所述基底中形成至少一第二开口；

在所述至少一第二开口的部分表面上形成一闸介电层；以及

在所述至少一第二开口中形成所述至少一埋入式字元线。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括对所述多个第一隔离结构进行回蚀刻处理。

10.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述至少一第二隔离结构的形成方法包括：

在所述基底上形成一图案化光阻层；

以所述图案化光阻层为罩幕，移除部分所述基底，而在所述基底中形成至少一第三开口；

移除所述图案化光阻层；以及

形成填满所述至少一第三开口的一第一隔离层。