[发明专利]用于沉积阻挡层以防止光致抗蚀剂中毒的衬底处理方法

权利要求书

1.一种用于沉积阻挡层的方法，其包括：

a)将包含氮化物层的衬底布置在处理室中；

b)将所述处理室中的工艺温度设定到预定的工艺温度范围；

c)将所述处理室中的工艺压强设定到预定的工艺压强范围；

d)提供包括有机硅烷前体物质的气体和蒸气中的至少一种；以及

e)在所述氮化物层上沉积阻挡层，其中所述阻挡层不同于所述氮化物层，

其中所述阻挡层减少所述氮化物层中的扩散到随后沉积在所述氮化物层上的光致抗蚀剂层中的含氮基团，

在e)之前在所述氮化物层上执行等离子体预处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机硅烷前体物质包括一个或多个SiCH₃官能团。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机硅烷前体物质具有通式R_nSiX_m，其中R包括一个或多个有机官能团，而X包括与所述衬底的表面上的-OH或-H活性位点反应的一个或多个可水解的官能团。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述一个或多个可水解的官能团选自伯胺基、仲胺基、叔胺基、烷氧基(-OR)、酰氧基(-O(CO)R)、和卤素原子。

5.根据权利要求1所述的方法，其还包括在e)之后在所述阻挡层上执行等离子体后处理。

6.根据权利要求1所述的方法，其还包括：f)在所述阻挡层上沉积光致抗蚀剂层。

7.根据权利要求6所述的方法，其还包括在e)之后且在f)之前在所述阻挡层上执行等离子体后处理工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机硅烷前体物质与SiOH和SiH悬挂键键合。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机硅烷前体物质选自二甲基氨基三甲基硅烷(DMATMS)、二(仲-丁基氨基)硅烷(DSBAS)和双(叔-丁基氨基)硅烷(BTBAS)。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定的工艺温度范围为200℃至400℃。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定的工艺温度范围为260℃至300℃。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定的工艺压强范围为300毫托至5托。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定的工艺压强范围为1托至2托。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层具有5埃至100埃的厚度。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层具有10埃至20埃的厚度。

16.根据权利要求1所述的方法，其中d)还包括提供选自分子氢、分子氮、氩、氦和惰性气体的载气。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述氮化物层选自氮化硅和碳氮化硅。

18.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述等离子体预处理包括将所述氮化物层暴露于包含氢的等离子体工艺气体。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述氢包含所述等离子体工艺气体中的4％至100％。