[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括栅极、源极/漏极、有源层，其特征在于，

还包括辅助电极，所述辅助电极与所述源极/漏极同层设置且互不交叠，且所述辅助电极向所述有源层的垂直投影位于所述有源层内，所述辅助电极位于所述源极与所述漏极之间；

所述辅助电极围绕所述源极或所述漏极设置，且所述辅助电极包括圆弧结构，所述源极或所述漏极朝向所述辅助电极的一端为圆弧结构。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述辅助电极为U形。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极或者所述漏极为U形。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的边缘为U形，所述边缘为U形有源层向所述栅极的垂直投影位于所述栅极内。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述U形的辅助电极包围所述漏极且所述U形的源极包围所述U形的辅助电极；或者，

所述U形的辅助电极包围所述源极且所述U形的漏极包围所述U形的辅助电极。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述U形的辅助电极包括圆弧形辅助电极和直线形辅助电极，所述U形的源极或者漏极包括圆弧形源极或者漏极以及直线形源极或者漏极，所述直线形辅助电极的长度大于所述直线形源极或者漏极的长度。

7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述辅助电极为多个U形，且所述多个U形的辅助电极成轴对称排列。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述辅助电极之间的沟道宽长比与所述辅助电极与所述漏极之间的沟道宽长比相等。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极为镂空结构。

10.一种阵列基板，包括衬底基板，以及设置所述衬底基板一侧的权利要求1-9任一项所述的薄膜晶体管。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，还包括像素电极、数据线以及栅极线，所述栅极线与所述栅极为一整体，所述源极或者所述漏极与所述数据线为一整体，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极或者所述源极电连接。

12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，当所述辅助电极为U形时，所述辅助电极沿着所述数据线延伸的方向延伸或者栅极线延伸的方向延伸。

13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，当所述源极或者所述漏极为U形，所述U形的辅助电极包括圆弧形辅助电极和直线形辅助电极，所述U形的源极或者漏极包括圆弧形源极或者漏极以及直线形源极或者漏极时，在数据线延伸方向上，所述圆弧形形辅助电极比所述圆弧形源极或者漏极更靠近所述像素电极。

14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10-13所述的阵列基板，以及显示功能层。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，所述显示功能层为电泳膜。