[发明专利]发光二极管LED的制备方法及LED有效
| 申请号： | 201710527783.2 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107256916B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 史洁;郑远志;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张洋;黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 led 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管LED的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上依次从下至上生长N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流拓展层、透明绝缘层以及电极；
在所述透明绝缘层上形成粘胶层；
使用光刻板对所述粘胶层进行光刻处理，以在所述透明绝缘层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的掩膜层；N为大于1的正整数；所述光刻板包括：玻璃层和遮光层；所述遮光层为布拉格反射层；所述遮光层在所述光刻板上的单位遮光图形为厚度由边缘至中心点递增的半球形布拉格反射层；
对所述掩膜层进行刻蚀处理，以在所述电流拓展层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的钝化光导出层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述掩膜层进行刻蚀处理，以在所述电流拓展层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的钝化光导出层，具体包括：
对所述掩膜层进行电感耦合等离子刻蚀，形成所述钝化光导出层；所述钝化光导出层的表面具有均匀分布的N个半球面。
3.一种发光二极管LED，其特征在于，所述LED采用如权利要求1-2中任一项所述的方法制备而成。
4.根据权利要求3所述的LED，其特征在于，所述钝化光导出层的厚度的范围为0.1-5um；所述半球面的半径的范围为0.2-10um。
5.根据权利要求3所述的LED，其特征在于，所述钝化光导出层的材质为透明、绝缘且折射率介于电流拓展层与空气之间的材质。
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