[发明专利]一种用于设计缓冲电路的装置有效

专利信息
申请号: 201710526859.X 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN107390765B 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 雷阳;田德文;门义双;刘娇娜;郝强;石岳江;徐静;张硕;王光辉;荣志刚 申请(专利权)人: 中国北方车辆研究所
主分类号: G05F1/625 分类号: G05F1/625
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 100072*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 设计 缓冲 电路 装置
【说明书】:

发明提供一种用于设计缓冲电路的装置,包括人机交互模块、DSP模块、控制模块、缓冲电路和电源模块,人机交互模块发送拓扑结构和参数信息给DSP模块,DSP模块根据拓扑结构和参数信息产生控制信号,并将控制信号发送给控制模块;缓冲电路根据开关信号改变拓扑结构和参数信息,控制模块根据控制信号发送开关信号给缓冲电路,电源模块为DSP模块和控制模块提供电源。本发明提供的技术方案可将缓冲电路输出端连接到所需要设计的IGBT或功率模块两端,方便进行相关试验与设计,另外不需要对缓冲电路进行试凑,也不需要因改变参数而不断的进行焊接更换电阻和电容,更不需要因改变拓扑结构而重新制板或进行飞线,节省了时间和人力,且降低了成本,安全性更高。

技术领域

本发明涉及一种装置,具体涉及一种用于设计缓冲电路的装置。

背景技术

全控型器件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)及其集成的智能功率模块(Intelligent Power Module,IPM)在电力电子装置中得到了广泛的应用。但是,当IGBT关断时主电路电流急剧变化,从而在主电路的寄生电感上诱发高电压,使IGBT在关断瞬间承受很大的浪涌电压。另外,由于与IGBT反并联的续流二极管反向恢复时两端电压异常升高,也会产生与关断浪涌电压相似的浪涌电压。关断浪涌电压和续流二极管恢复浪涌电压的存在,会影响IGBT的正常工作,如开关损耗加大、使IGBT过热,严重时甚至造成IGBT损坏。为提高IGBT工作可靠性,较常用的方法是使用缓冲电路,其主要作用是抑制IGBT等功率器件的关断浪涌电压和续流二极管恢复浪涌电压,减少开关损耗,充分利用IGBT的功率极限。

针对不同的应用以及功率电路不同的结构布局,往往无法给出通用性参数可调的缓冲电路解决方案。在设计缓冲电路时,通常是根据实际的情况不断进行试凑。在试凑过程中,若要改变参数,就需要不断的进行焊接更换电阻、电容;若改变拓扑结构,需要重新制板或进行飞线。这样的过程既耗时、耗力,又增加了成本且不安全。

发明内容

为了克服上述现有技术的不足,本发明提供一种用于设计缓冲电路的装置,设人机交互模块、DSP模块,控制模块、缓冲电路和电源模块,可通过人机交互模块方便且快速的调整缓冲电路的拓扑结构和参数信息,快捷高效的完成缓冲电路设计工作。

为了实现上述发明目的,本发明采取如下技术方案:

本发明提供一种用于设计缓冲电路的装置,包括:

人机交互模块,发送所需的拓扑结构和参数信息给DSP模块;

DSP模块,根据所需的拓扑结构和参数信息产生控制信号,并将控制信号发送给控制模块;

控制模块,根据控制信号发送开关信号给缓冲电路;

缓冲电路,根据开关信号改变拓扑结构和参数信息;

电源模块,为DSP模块和控制模块提供电源。

所述DSP模块中的DSP芯片根据拓扑结构和参数信息进行逻辑计算,得到控制信号,并将控制信号发送给控制模块中的继电器线圈;

所述拓扑结构包括单C拓扑结构和RCD拓扑结构,所述参数信息包括电容值、电阻值和二极管个数。

所述控制模块还包括n个并联的控制单元,所述控制单元包括限流电阻、二极管、三极管和继电器线圈;

所述限流电阻的一端连接DSP模块,其另一端连接二极管的正极,所述二极管的负极连接三极管的基极,所述继电器线圈的一端连接电源模块,其另一端连接三极管的集电极,所述三极管的发射极接GND。

所述缓冲电路的输出端连接IPM或IGBT,其包括继电器开关S1、电容部分、二极管部分和电阻部分。

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