[发明专利]用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤及其制备方法有效
| 申请号： | 201710526163.7 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107179580B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李进延;贺兴龙;廖雷;邢颍滨;陈益沙;张芳芳;李海清;戴能利;彭景刚;杨旅云;刘茵紫 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;G02B6/24;C03B37/018;C03B37/025 |
| 代理公司： | 33231 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 杨宇 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无芯光纤 无源光纤 包层 低折射率 侧耦合 高功率 涂覆层 剥除 光纤 背景损耗 并行设置 光纤耦合 光纤轴 耦合到 掺入 制备 并行 外部 引入 积累 | ||
1.一种用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤，其特征在于，包括无源光纤、无芯光纤及低折射率涂覆层，所述无源光纤、无芯光纤两端分离、中间并行设置，所述低折射率涂覆层涂覆于所述无源光纤、无芯光纤的并行部分的外部，所述无芯光纤中掺有背景损耗杂质。
2.根据权利要求1所述的用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤，其特征在于，所述背景损耗杂质为铁、铝、镁、钙或碱金属中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤，其特征在于，所述背景损耗杂质还包括磷或氟。
4.一种用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：
(1)制备掺入背景损耗杂质的无芯光纤预制棒，具体为：在套管内通过MCVD气相沉积法将背景损耗杂质掺入到套管的管内生成掺杂的二氧化硅，然后对套管的外壁进行腐蚀，形成无芯光纤预制棒；
(2)将常规的有芯光纤预制棒和所述无芯光纤预制棒拉丝后分别形成无源光纤与无芯光纤，然后将所述无源光纤与无芯光纤并排设置后在外层涂覆低折射率涂覆材料制成侧耦合光纤前体；
(3)将所述侧耦合光纤前体的两端进行剥离使得其两端的无源光纤与无芯光纤的端头均分开，然后再对所述无源光纤与无芯光纤的两端重新涂覆低折射率涂覆材料制成侧耦合光纤。
5.根据权利要求4所述的用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中将所述有芯光纤预制棒和无芯光纤预制棒并排设置进行拉丝及涂覆。
6.根据权利要求5所述的用于剥除高功率包层光的侧耦合光纤的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中通过改变所述背景损耗杂质的浓度来改变所述无芯光纤的损耗以制备不同剥除长度的侧耦合光纤。
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