[发明专利]红外图像传感器

权利要求书

1.一种红外图像传感器，包括：

传感器像素，其与布置在衬底表面上的数据引出线和扫描线连接；

波长转换器，其放置在所述传感器像素中并且布置在红外线的内部移动路径中，该波长转换器包括吸收红外线并将所吸收的红外线转换成可见光线以发射所述可见光线的反斯托克斯材料；以及

光电传感器部件，其放置在所述传感器像素中以对通过所述波长转换器转换的所述可见光线进行感测，

其中，所述光电传感器部件包括：

第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极分开布置成面对彼此；以及

半导体层，其布置在所述第一电极和所述第二电极之间以传输红外光线并吸收可见光线。

2.根据权利要求1所述的红外图像传感器，还包括：

薄膜晶体管，其连接到所述扫描线和所述数据引出线，以将取决于所述光电传感器部件的电荷生成的电流信号转移到所述数据引出线。

3.根据权利要求2所述的红外图像传感器，其中，所述第一电极是通过使所述薄膜晶体管的源极或漏极延伸而形成的。

4.根据权利要求3所述的红外图像传感器，其中，所述第二电极包括透明材料。

5.根据权利要求3所述的红外图像传感器，还包括：

第三电极，其放置在所述光电传感器部件的所述第二电极上以通过接触孔与所述第二电极连接，

其中，所述波长转换器放置在与所述第三电极相同的层上，并且所述波长转换器与所述半导体层交叠。

6.根据权利要求5所述的红外图像传感器，其中，所述反斯托克斯材料包括多个反斯托克斯纳米颗粒，并且所述反斯托克斯纳米颗粒均匀地分散在所述波长转换器内。

7.根据权利要求3所述的红外图像传感器，其中，所述波长转换器放置在所述半导体层中，

所述反斯托克斯材料包括多个反斯托克斯纳米颗粒，并且所述反斯托克斯纳米颗粒均匀地分散在所述半导体层内。

8.根据权利要求2所述的红外图像传感器，其中，所述第一电极被布置在所述薄膜晶体管的源极或漏极上，并且

所述第一电极通过接触孔与所述薄膜晶体管的所述源极或所述漏极连接。

9.根据权利要求8所述的红外图像传感器，其中，所述第一电极和所述第二电极中的每一个电极都包括透明材料。

10.根据权利要求8所述的红外图像传感器，还包括：

反射电极，该反射电极是通过使所述薄膜晶体管的所述源极或所述漏极延伸而形成的，

其中，所述波长转换器被放置在所述反射电极和所述第一电极之间，并且所述波长转换器与所述半导体层交叠。

11.根据权利要求10所述的红外图像传感器，其中，所述反斯托克斯材料包括多个反斯托克斯纳米颗粒，并且所述反斯托克斯纳米颗粒均匀地分散在所述波长转换器内。

12.根据权利要求11所述的红外图像传感器，其中，从所述波长转换器发射的可见光线中的一些光线被所述反射电极反射而被引入到所述半导体层中。

13.根据权利要求1所述的红外图像传感器，其中，所述波长转换器还包括下转换材料，其用于吸收紫外线、将所吸收的紫外线转换成可见光线并发射所述可见光线。

14.根据权利要求13所述的红外图像传感器，其中，所述下转换材料包括多个下转换纳米颗粒，并且所述下转换纳米颗粒均匀地分散在所述波长转换器内。