[发明专利]控制器与参考电压产生方法有效
申请号: | 201710523736.0 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN107315442B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 徐明禄;姜凡;夏佳佳 | 申请(专利权)人: | 上海兆芯集成电路有限公司 |
主分类号: | G05F1/625 | 分类号: | G05F1/625 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王珊珊 |
地址: | 上海市张江高科技*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制器 参考 电压 产生 方法 | ||
一种控制器,包括输入/输出电路以及参考电压产生电路。输入/输出电路包括多个接收电路,其中各接收电路用以接收及处理各数据位,以产生各输出位。参考电压产生电路耦接至输入/输出电路,包括多个电路单元,用以提供多个参考电压。电路单元的其中一者耦接接收电路的其中一者,用以提供参考电压至对应的接收电路,并且接收电路根据参考电压处理数据位。
技术领域
本发明关于一种控制器,特别是一种可为各个位提供对应的参考电压的内存控制器。
背景技术
在现有的计算机系统中,双倍速率同步动态随机内存(Double Data RateSynchronous Dynamic Random Access Memory,缩写为DDR SDRAM)的物理层接口(PHYInterface)是一个定义为连接内存控制器和内存设备,包含DDRl、DDR2、DDR3及DDR4等的标准协议规范。这个协议定义了所有的信号、信号之间的关系、时序以及信号如何通过这套接口进行内存和内存控制器之间的传输。
现有技术中,内存控制器先通过地址总线脚位给出地址信号,然后再通过控制脚位选择给出读写控制信号,地址信号和读写控制信号通过物理层接口进入物理层,DDR物理层中的接收器根据读写控制信号,接收内存控制器方向传来的数据信号,或者返回从内存读回来的数据信号。
于从内存读取数据时,内存控制器必须根据频率信号对数据信号进行取样以取得数据内容。因此,如何准确地取样自内存读取的数据为影响内存控制器产品优劣的关键因素。
发明内容
本发明公开一种控制器,包括输入/输出电路以及参考电压产生电路。输入/输出电路包括多个接收电路,其中各接收电路用以接收及处理各数据位,以产生对应的各输出位。参考电压产生电路耦接至输入/输出电路,包括多个电路单元,用以提供多个参考电压。电路单元的其中一者耦接接收电路的其中一者,用以提供参考电压至对应的接收电路,并且接收电路根据参考电压处理数据位。
本发明公开一种参考电压产生方法,适用于控制器,其中控制器包括输入/输出电路与参考电压产生电路,输入/输出电路包括多个接收电路,用以接收及处理多个数据位,参考电压产生电路包括多个电路单元,该方法包括:由各电路单元提供各参考电压至对应的各接收电路;以及由各接收电路根据对应的参考电压处理对应的各数据位,以产生各输出位。
附图说明
图1是本发明的一实施例所述的控制器方块图。
图2是本发明的一实施例所述的输入/输出电路与参考电压产生电路示意图。
图3是本发明的一实施例所述的一接收电路与一电路单元的等效电路图。
图4是本发明的一实施例所述的一控制器与外接内存的示意图。
图5是本发明的一实施例所述的参考电压产生方法流程图。
图6是本发明的一实施例所述的电压校正方法流程图。
图7是本发明的一实施例所述的参考电压产生电路中电容与电阻的设计示意图。
图8是本发明的一实施例所述的参考电压与系统高电压的电压比值与频率变化的关系图。
具体实施方式
为使本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举出较佳实施例,并配合附图,作详细说明。
图1是根据本发明的一实施例所述的控制器方块图。根据本发明的一实施例,控制器100可为内存控制器或者控制器芯片,例如,DDR控制器,用以控制DDR的运作。
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