[发明专利]芯片封装摄像头模组、摄像头及芯片封装摄像头模组方法在审
申请号: | 201710522821.5 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN107331676A | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 周锋;姚波;刘自红 | 申请(专利权)人: | 信利光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 李海建 |
地址: | 516600 广东省汕*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 摄像头 模组 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电子产品技术领域,尤其涉及芯片封装摄像头模组、摄像头及芯片封装摄像头模组方法。
背景技术
目前,摄像头模组COB封装通常是通过SFR4以及陶瓷基板实现的封装。随着技术的不断发展,高像素产品越来越多,当前的封装技术在摄像头模组的高度及光学性能的平整度上无法满足当前高端影像产品的工艺要求。
因此,如何降低摄像头模组设计的高度及提高摄像头的光学性能平整度是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的第一个目的是提供一种芯片封装摄像头模组,能够降低摄像头模组设计的高度及提高摄像头的光学性能平整度。
本发明的第二个目的是提供一种摄像头。
本发明的第三个目的是提供一种芯片封装摄像头模组方法。
为了实现上述第一个目的,本发明提供了如下方案:
一种芯片封装摄像头模组,包括基板和影像感测器芯片,所述基板为玻璃基板,且所述玻璃基板上设置有导电线路和与所述导电线路导通的基板导电接触点;
所述影像感测器芯片倒置与所述玻璃基板封装,所述影像感测器芯的芯片板导电接触点与所述基板导电接触点电连接。
优选地,在上述芯片封装摄像头模组中,所述玻璃基板上的引脚为玻璃氧化铟锡引脚。
优选地,在上述芯片封装摄像头模组中,所述玻璃基板的表面设置丝印镀膜层。
从上述的技术方案可以看出,本发明提供的芯片封装摄像头模组,由于基板为玻璃基板,玻璃基板可以很好的解决基板本身的平整度问题,因此,本发明提供的芯片封装摄像头模组,提高了摄像头的光学性能平整度。且由于影像感测器芯片倒置与玻璃基板封装,因此,降低了芯片封装摄像头模组的高度。
为了实现上述第二个目的,本发明提供了如下方案:
一种摄像头,包括如上述任意一项所述的芯片封装摄像头模组。
由于本发明公开的摄像头包括上述任意一项中的芯片封装摄像头模组,因此,芯片封装摄像头模组所具有的有益效果均是本发明公开的摄像头所包含的。
为了实现上述第三个目的,本发明提供了如下方案:
一种摄像头模组封装方法,包括以下步骤:
步骤A:选择玻璃基板作为基板,并在所述玻璃基板上显影、蚀刻、切割以形成导电线路基板;
步骤B:将影像感测器芯的芯片板导电接触点与所述导电线路基板上设置的基板导电接触点电连接,所述影像感测器芯片倒置与所述导电线路基板封装。
优选地,在上述摄像头模组封装方法中,还包括设置在步骤B之后的步骤C:
在所述导电线路基板的表面进行丝印处理。
从上述的技术方案可以看出,本发明提供的摄像头模组封装方法,由于选择的基板为玻璃基板,并在玻璃基板上显影、蚀刻、切割以形成导电线路基板,玻璃基板解决了基板本身的平整度问题,因此,本发明提供的摄像头模组封装方法,提高了摄像头的光学性能平整度。且由于影像感测器芯片倒置与导电线路基板封装,因此,降低了芯片封装摄像头模组的高度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的芯片封装摄像头模组的结构示意图;
图2为本发明提供的摄像头模组封装方法的流程示意图。
其中,图1-2中:
基板1、影像感测器芯片2、基板导电接触点3、引脚4。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好的理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
实施例一
请参阅图1,本发明公开了一种芯片封装摄像头模组,其中,芯片封装摄像头模组包括基板1和影像感测器芯片2。
基板1为玻璃基板,且玻璃基板上设置有导电线路和基板导电接触点3,基板导电接触点3与导电线路电连接导通。具体地,玻璃基板上显影、蚀刻、切割形成导电线路。
影像感测器芯片2倒置与玻璃基板封装,影像感测器芯的芯片板导电接触点与基板导电接触点3电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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