[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201710521892.3 | 申请日: | 2017-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN107579076B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
| 发明(设计)人: | 洪淳明;朴庆泰 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/126;H10K50/805;H10K71/00;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;陈晓博 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
公开了一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括:基底;薄膜晶体管,位于基底之上,所述薄膜晶体管包括半导体层和与半导体层叠置的栅电极;导电层,位于基底与薄膜晶体管的半导体层之间;绝缘层,位于导电层与薄膜晶体管之间;钝化层,覆盖薄膜晶体管;像素电极,位于钝化层之上,所述像素电极经由在钝化层中限定的接触孔电连接到薄膜晶体管;发射层,位于像素电极之上;对电极,位于发射层之上,所述对电极电连接到导电层。
于2016年7月4日提交到韩国知识产权局的题为“Organic Light-EmittingDisplay Device and Manufacturing Method Thereof”(有机发光显示装置及其制造方法)的第10-2016-0084094号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种有机发光显示装置以及该有机发光显示装置的制造方法。
背景技术
在基底上制造平板显示装置(例如,有机发光显示装置、液晶显示装置等),平板显示装置包括至少一个薄膜晶体管(TFT)、电容器等以及将它们连接的布线以驱动显示器件。TFT包括提供沟道区、源区和漏区的有源层以及通过栅极绝缘层与有源层电绝缘的栅电极。
上述构造的TFT的有源层通常包括半导体材料,例如非晶硅或多晶硅。当有源层包括非晶硅时,迁移率低,使得高速操作困难。当有源层包括多晶硅时,迁移率高,但是阈值电压是不均匀的,需要单独的补偿电路。另外,由于使用低温多晶硅(LTPS)的传统的TFT制造方法包括需要高价设备的例如激光热处理工艺,所以设备投资和管理成本高,并且难以将传统的TFT制造方法应用于大尺寸的基底。
发明内容
根据一个或更多个实施例,有机发光显示装置包括:基底;薄膜晶体管,位于基底之上,薄膜晶体管包括半导体层和与半导体层叠置的栅电极;导电层,位于基底与薄膜晶体管的半导体层之间;绝缘层,位于导电层与薄膜晶体管之间;钝化层,覆盖薄膜晶体管;像素电极,位于钝化层之上,像素电极经由在钝化层中限定的接触孔电连接到薄膜晶体管;发射层,位于像素电极之上;以及对电极,位于发射层之上,对电极电连接到导电层。
导电层的至少一部分可以与半导体层的沟道区叠置。
薄膜晶体管可以是驱动薄膜晶体管。
绝缘层可以包括暴露导电层的至少一部分的孔,对电极可以经由孔接触导电层。
有机发光显示装置还可以包括:第一中间层,位于像素电极与发射层之间,第一中间层的至少一部分延伸以接触导电层并且包括对应于孔的第一开口,以使对电极经由第一开口和孔接触导电层。
第一中间层的与第一开口相邻的部分可以是热变性部。
孔的中心可以与第一开口的中心一致。
有机发光显示装置还可以包括:第二中间层,位于对电极下方,第二中间层覆盖第一中间层和发射层并且包括对应于孔的第二开口,以使对电极经由第二开口、第一开口和孔接触导电层。
孔的中心可以与第二开口的中心一致。
第二中间层的与第二开口相邻的部分可以是热变性部。
导电层可以包括金属材料和半导体材料中的至少一种。
有机发光显示装置还可以包括:辅助电极,与像素电极相邻,辅助电极电连接到对电极。
对电极与辅助电极之间的电连接区域可以不与对电极与导电层之间的电连接区域叠置。
有机发光显示装置还可以包括:多个像素,导电层包括分别对应于所述多个像素并且彼此连接的部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





