[发明专利]一种发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，所述发光二极管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、MQW层、电子阻挡层、P型层和活化接触P型层，其特征在于，

所述MQW层由三个子层组成，所述三个子层包括依次生长的第一子层、第二子层和第三子层，每个所述子层均为量子阱层和量子垒层交替生长的层叠结构，所述量子垒层中掺有Si元素，所述第三子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度大于所述第一子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度，且所述第一子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度大于所述第二子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度；

所述第一子层中的量子垒层的Si的掺杂浓度为5-10E17/cm³，所述第二子层中的量子垒层的Si的掺杂浓度为1-5E17/cm³，所述第三子层中的量子垒层的Si的掺杂浓度为1-5E18/cm³。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，每个所述子层中的所述量子阱层或所述量子垒层的层数为n，2≤n≤6。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述第三子层中的量子垒层的厚度大于所述第一子层中的量子垒层的厚度，且所述第一子层中的量子垒层的厚度大于所述第二子层中的量子垒层的厚度。

4.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一衬底；

在衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、MQW层、电子阻挡层、P型层和活化接触P型层，所述MQW层由三个子层组成，所述三个子层包括依次生长的第一子层、第二子层和第三子层，每个所述子层均为量子阱层和量子垒层交替生长的层叠结构，所述量子垒层中掺有Si元素，所述第三子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度大于所述第一子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度，且所述第一子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度大于所述第二子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度；

所述第一子层中的量子垒层的Si的掺杂浓度为5-10E17/cm³，所述第二子层中的量子垒层的Si的掺杂浓度为1-5E17/cm³，所述第三子层中的量子垒层的Si的掺杂浓度为1-5E18/cm³。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，每个所述子层中的所述量子阱层或所述量子垒层的层数为n，2≤n≤6。

6.根据权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，所述第三子层中的量子垒层的厚度大于所述第一子层中的量子垒层的厚度，且所述第一子层中的量子垒层的厚度大于所述第二子层中的量子垒层的厚度。

7.根据权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，所述第三子层中的量子垒层的生长温度大于所述第一子层中的量子垒层的生长温度，且所述第一子层中的量子垒层的生长温度大于所述第二子层中的量子垒层的生长温度。

8.根据权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，所述第一子层中的量子垒层的生长速率大于所述第二子层中的量子垒层的生长速率，且所述第二子层中的量子垒层的生长速率大于所述第三子层中的量子垒层的生长速率。

9.根据权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，所述第二子层中的量子垒层的生长压力大于所述第一子层中的量子垒层的生长压力，所述第三子层中的量子垒层的生长压力大于所述第一子层中的量子垒层的生长压力。

10.根据权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，所述第二子层中的量子垒层的生长转速大于所述第一子层中的量子垒层的生长转速，所述第三子层中的量子垒层的生长转速大于所述第一子层中的量子垒层的生长转速。