[发明专利]发光组件及发光组件的制造方法

权利要求书

1.一种发光组件，包含窗口层兼支承基板以及设置于该窗口层兼支承基板上的发光层，该发光层依序包含有第二半导体层、活性层及第一半导体层，且该第二半导体层为第二导电型，且该第一半导体层为第一导电型，其中

该发光组件具有：经除去至少该第一半导体层及该活性层的除去部、该除去部以外的非除去部、设置于该非除去部而与该第一半导体层接触的第一奥姆电极、以及设置于该除去部而与该第二半导体层或该窗口层兼支承基板接触的第二奥姆电极，

其中在对应于为该窗口层兼支承基板的该发光层的相反侧的光提取面处的该发光层的区域中，于较对应于该发光层的发光部的区域更窄的范围设置有凹部，该凹部的底面经粗糙化，

该窗口层兼支承基板为由GaP所构成，该发光层为由(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP所构成，其中0≦x≦1、0.4≦y≦0.6。

2.如权利要求1所述的发光组件，其中该窗口层兼支承基板的该光提取面处中，于经设置该凹部以外的区域设置有金属反射层。

3.如权利要求1所述的发光组件，其中该窗口层兼支承基板的该光提取面处中，于经设置该凹部以外的区域设置有绝缘层，该绝缘层上设置有金属反射层。

4.一种发光组件的制造方法，包含：

发光层形成步骤，于基板上，以与该基板为晶格匹配的材料，通过磊晶成长而依序成长至少第一半导体层、活性层、及第二半导体层而形成发光层；

窗口层兼支承基板形成步骤，将窗口层兼支承基板与该发光层接合，或者使该窗口层兼支承基板磊晶成长于该发光层上；

基板除去步骤，将该基板除去；

第一奥姆电极形成步骤，于该第一半导体层表面形成第一奥姆电极；

除去步骤，将至少该第一半导体层及该活性层予以除去而形成除去部；以及

第二奥姆电极形成步骤，于该除去部的该第二半导体层或该窗口层兼支承基板上形成第二奥姆电极，

其中该发光组件的制造方法再进行：

凹部形成步骤，于该窗口层兼支承基板的与该发光层为相反侧的光提取面处中的对应于该发光层的区域中，于较对应于该于该发光层的发光部的区域更窄的范围形成凹部，以及

粗糙表面化步骤，将该凹部的底面予以粗糙化，

该窗口层兼支承基板由GaP所构成，该发光层由(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP所构成，其中0≦x≦1、0.4≦y≦0.6。

5.如权利要求4所述的发光组件的制造方法，更包含进行金属反射层形成步骤，在该窗口层兼支承基板的该光提取面处中，于经设置该凹部以外的区域形成金属反射层。

6.如权利要求4所述的发光组件的制造方法，更包含进行：

绝缘层形成步骤，在该窗口层兼支承基板的该光提取面处中，于设置有该凹部以外的区域形成绝缘层，以及

金属反射层形成步骤，于该绝缘层上形成金属反射层。