[发明专利]用于垂直传输场效应晶体管的互连

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一垂直传输场效应晶体管，其具有位于半导体层中的源极/漏极区域，从该半导体层中的该源极/漏极区域伸出的鳍片，以及位于该半导体层上并耦接该鳍片的栅极电极；

第二垂直传输场效应晶体管，其具有位于该半导体层中的源极/漏极区域，从该半导体层的该源极/漏极区域伸出的鳍片，以及位于该半导体层上并耦接该鳍片的栅极电极；以及

互连，其位于该半导体层中所定义的沟槽中，其中，该互连耦接该第一垂直传输场效应晶体管的该源极/漏极区域与该第二垂直传输场效应晶体管的该源极/漏极区域。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，该互连包括直接耦接该第一垂直传输场效应晶体管的该源极/漏极区域以及直接耦接该第二垂直传输场效应晶体管的该源极/漏极区域的导电层。

3.一种半导体结构，包括：

第一垂直传输场效应晶体管，其具有位于半导体层中的源极/漏极区域，从该半导体层中的该源极/漏极区域伸出的鳍片，以及位于该半导体层上并耦接该鳍片的栅极电极；

第二垂直传输场效应晶体管，其具有位于该半导体层中的源极/漏极区域，从该半导体层的该源极/漏极区域伸出的鳍片，以及位于该半导体层上并耦接该鳍片的栅极电极；以及

互连，其位于该半导体层中所定义的沟槽中，其中，该互连耦接该第一垂直传输场效应晶体管的该源极/漏极区域与该第二垂直传输场效应晶体管的该栅极电极。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，该互连由直接耦接该第一垂直传输场效应晶体管的该源极/漏极区域的导电层组成，还包括：

介电层，其位于该半导体层上，该介电层包括延伸至该导电层的开口；以及

接触件，位于该开口内，该接触件直接耦接该导电层与该第二垂直传输场效应晶体管的该栅极电极。

5.一种半导体结构，包括：

第一垂直传输场效应晶体管，其具有位于半导体层中的源极/漏极区域，从该半导体层中的该源极/漏极区域伸出的鳍片，以及位于该半导体层上并耦接该鳍片的栅极电极；

第二垂直传输场效应晶体管，其具有位于该半导体层中的源极/漏极区域，从该半导体层中的该源极/漏极区域伸出的鳍片，以及位于该半导体层上并耦接该鳍片的栅极电极；以及

互连，其位于该半导体层中所定义的沟槽中，其中，该第一垂直传输场效应晶体管的该栅极电极通过该互连耦接该第二垂直传输场效应晶体管的该栅极电极。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，该互连包括耦接该第一垂直传输场效应晶体管的该栅极电极以及耦接该第二垂直传输场效应晶体管的该栅极电极的导电层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，还包括：

介电层，位于该导电层上，该介电层包括分别延伸至该导电层的第一开口与第二开口；

第一接触件，位于该第一开口中，该第一接触件直接耦接该导电层与该第一垂直传输场效应晶体管的该栅极电极；以及

第二接触件，位于该第二开口中，该第二接触件直接耦接该导电层与该第二垂直传输场效应晶体管的该栅极电极。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，还包括：

第三垂直传输场效应晶体管，具有位于该半导体层中的源极/漏极区域，与该第一垂直传输场效应晶体管的该鳍片平行排列并从该半导体层中的该的源极/漏极区域伸出的鳍片，以及位于该半导体层上并耦接该鳍片的栅极电极，该第三垂直传输场效应晶体管的该鳍片水平位于该第一垂直传输场效应晶体管的该鳍片与该第二垂直传输场效应晶体管的该鳍片之间；以及

介电层，其至少部分覆盖该互连，以使该第三垂直传输场效应晶体管的该栅极电极与该互连电性隔离。