[发明专利]半导体封装装置、半导体引线框架及其切筋方法

权利要求书

1.一种半导体封装装置，其特征在于，包括：

封装外壳；

半导体器件，包覆在所述封装外壳内；

管脚，用于与所述半导体器件电气连接，所述管脚裸露在所述封装外壳外；

所述管脚靠近所述封装外壳的两侧分别具有由两凸起和一凹槽形成的方波状结构，所述凸起和所述凹槽沿所述管脚的长度方向依次交替设置，所述管脚与PCB印制电路板进行焊接时，焊锡将汇聚在所述凹槽中。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，在所述管脚插入PCB印制电路板后，所述PCB印制电路板卡在所述两凸起之间，使得其中一个凸起位于所述PCB印制电路板上表面，另一个凸起位于所述PCB印制电路板的下表面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述管脚的宽度尺寸为0.7mm-0.9mm，所述凸起的高度为0.075mm-0.1mm。

4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述管脚的外表面涂覆有锡层。

5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其特征在于，所述锡层的覆盖范围为从所述管脚的凹槽开始延伸到靠近所述封装外壳的管脚部分。

6.一种半导体引线框架，其特征在于，包括：

至少一散热区；

至少一载片区，用于安装半导体器件，所述载片区连接所述散热区；

至少一管脚框架，所述管脚框架包括边角框架，位于所述边角框架内的多个管脚以及连接各管脚的第一连筋、第二连筋，所述第一连筋靠近所述载片区，所述第二连筋位于所述第一连筋远离所述载片区的一侧；

所述第一连筋被切断后，各管脚两侧的切筋处分别形成第一凸起，所述第二连筋被切断后，各管脚两侧的切筋处分别形成第二凸起，所述第一凸起和所述第二凸起沿所述管脚的长度方向间隔设置，且所述第一凸起和所述第二凸起之间形成一凹槽，第一凸起、所述第二凸起和所述凹槽形成方波状结构。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的框架，其特征在于，所述第一连筋和所述第二连筋之间的管脚宽度为0.7mm~0.9mm。

8.一种半导体引线框架，其特征在于，包括：

散热区；

载片区，用于安装半导体器件，所述载片区连接所述散热区；

管脚，用于电气连接所述载片区中的半导体器件，所述管脚靠近所述载片区的两侧分别具有由两凸起和一凹槽形成的方波状结构，所述凸起和所述凹槽沿所述管脚的长度方向依次交替设置，所述管脚与PCB印制电路板进行焊接时，焊锡将汇聚在所述凹槽中。

9.一种半导体引线框架切筋方法，其特征在于，所述引线框架包括散热区、载片区和管脚框架，所述管脚框架包括边角框架，位于所述边角框架内的多个管脚以及连接各管脚的第一连筋、第二连筋，所述方法包括：

第一次切筋：切断第一连筋，第一连筋切完后，各管脚两侧的切筋处分别形成第一凸起；

电镀：在管脚框架的外表面电镀形成一锡层；

第二次切筋：切断第二连筋，切完第二连筋后，各管脚两侧的切筋处分别形成第二凸起，所述第一凸起和所述第二凸起之间形成一凹槽，所述锡层的覆盖范围为从所述管脚的凹槽处开始至靠近所述载片区的管脚部分。

10.根据权利要求9所述的半导体引线框架切筋方法，其特征在于，在第一次切筋之前，所述方法还包括：

对所述半导体引线框架进行镀膜，使整个引线框架的外表面形成一电镀层。