[发明专利]加热装置

说明书

本揭露有关于一种加热装置。此加热装置包含承载平台及复合加热环。此承载平台是用以承载晶圆，且复合加热环设置于承载平台及晶圆之间。其中，复合加热环是沿着晶圆的边缘延伸。此复合加热环包含第一加热环及第二加热环。第一加热环的底面直接接触承载平台的承载面，且第一加热环具有阶梯状结构。第二加热环设置于阶梯状结构的开口中，且第二加热环的顶面直接接触晶圆的底面。

技术领域

本揭露是有关一种加热装置，且特别是提供一种多通道气体加热器。

背景技术

半导体材料的发展驱使半导体晶体管的大幅成长。为了提升半导体晶体管的装置密度与效能，并降低其成本，半导体晶体管中各层薄膜的堆叠、表面性质与结构设计均是被积极地研究发展。为了提升薄膜性质，一般可通过化学汽相沉积制程(Chemical VaporDeposition；CVD)沉积薄膜。其中，为了获得较佳的阶梯覆盖性质，薄膜可通过等离子辅助化学汽相沉积制程(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；PECVD)形成。因此，通过施加电压，使反应气体形成等离子，而可于晶圆表面形成具有良好薄膜性质的沉积薄膜，进而提升半导体装置的效能。

发明内容

根据本揭露的一方面，提出一种加热装置。此加热装置包含承载平台及复合加热环。承载平台具有承载面，且承载平台是用以承载晶圆。复合加热环设置于承载平台及晶圆之间，且复合加热环沿着晶圆的边缘延伸。此复合加热环包含第一加热环及第二加热环。第一加热环的底面直接接触承载面，且第一加热环具有阶梯状结构。其中，阶梯状结构的开口朝向晶圆的边缘。第一加热环具有第一熔点。第二加热环设置于阶梯状结构的开口中，且第二加热环的顶面直接接触晶圆的晶圆底面。第二加热环具有第二熔点，且第二熔点大于第一熔点。

根据本揭露的另一方面，提出一种加热装置。此加热装置包含承载平台、多个支撑件及复合加热环。承载平台具有承载面及加热气体通道。此承载平台是用以承载晶圆。加热气体通道包含输入通道及至少一气体沟槽。输入通道设置于承载平台中，且至少一气体沟槽设置于承载面上。其中，每一个气体沟槽连通输入通道。前述的支撑件设置于承载面上。复合加热环设置于承载面上，且此复合加热环沿着晶圆的边缘延伸。复合加热环包含第一加热环及第二加热环。第一加热环的底面直接接触承载面，且第一加热环具有阶梯状结构。此阶梯状结构的开口朝向晶圆的边缘。第一加热环具有第一熔点。前述的第二加热环设置于阶梯状结构的开口中，且第二加热环的顶面直接接触晶圆的晶圆底面。第二加热环具有第二熔点，且第二熔点大于第一熔点。

附图说明

从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸可任意地增加或减少。

图1A、图2A、图3A及图4A是绘示根据本揭露的一些实施例的加热装置的垂直剖面示意图；

图1B、图2B、图3B及图4B是绘示根据本揭露的一些实施例的利用加热装置加热晶圆时的垂直剖面示意图。

具体实施方式

以下的揭露提供了许多不同的实施例或例子，以实施发明的不同特征。以下所描述的构件与安排的特定例子是用以简化本揭露。当然这些仅为例子，并非用以做为限制。举例而言，在描述中，第一特征形成于第二特征上方或上，可能包含第一特征与第二特征以直接接触的方式形成的实施例，而也可能包含额外特征可能形成在第一特征与第二特征之间的实施例，如此第一特征与第二特征可能不会直接接触。此外，本揭露可能会在各例子中重复参考数字及/或文字。这样的重复是基于简单与清楚的目的，以其本身而言并非用以指定所讨论的各实施例及/或配置之间的关系。