[发明专利]一种芯片封装用低温烧结混合型导电银浆及其制备方法

权利要求书

1.一种芯片封装用低温烧结混合型导电银浆，包括导电银粉和有机载体；所述的导电银粉占50‐95wt％，所述的有机载体占5‐50wt％；所述的导电银粉含有20‐60wt％微米级片状银粉、5‐40wt％亚微米级球形银粉和20‐60wt％纳米级球形银粉；所述的有机载体含有3‐30wt％的粘结剂、40‐97.9wt％的溶剂和0.01‐30wt％的其它添加剂；所述的有机载体是将粘结剂、溶剂与其他添加剂混合加热至50‐75℃保温后冷却至室温得到；所述的粘结剂为聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇、聚丙烯醇、聚乙烯酸和聚丙烯酸中的一种或多种；所述的其它添加剂为润湿剂、活性剂、乳化剂、流平剂、成膜剂、触变剂、抗氧化剂和消泡剂中的一种或多种；

其特征在于，所述的微米级片状银粉和亚微米级球形银粉通过如下方式进行表面改性：配置多元有机酸乙醇溶液，所述多元有机酸的分解温度在200℃以下；将所述的微米级片状银粉和亚微米级球形银粉置于所述多元有机酸乙醇溶液中；使用超声波清洗；将洗好的微米级片状银粉和亚微米级球形银粉使用离心机离心分离后，使用丙酮或去离子水反复清洗。

2.根据权利要求1所述的芯片封装用低温烧结混合型导电银浆，其特征在于，所述的纳米级球形银粉采用如下方法制备：将柠檬酸钠溶液与硫酸亚铁溶液的混合液逐滴滴加入的硝酸银溶液中，室温下反应，控制柠檬酸钠溶液、硫酸亚铁溶液与硝酸银溶液的体积比范围为1:1:1‐8:5:5；反应结束后使用离心机离心分离后，使用去离子水反复清洗。

3.根据权利要求2所述的芯片封装用低温烧结混合型导电银浆，其特征在于，所述柠檬酸钠溶液的浓度为400‐450g/L；所述硫酸亚铁溶液的浓度为250‐300g/L；所述硝酸银溶液的浓度为70‐90g/L，所述室温下反应的时间为30‐40min；所述使用去离子水反复清洗的次数至少3次。

4.根据权利要求1所述的芯片封装用低温烧结混合型导电银浆，其特征在于，所述微米级片状银粉的粒径为1‐20μm，厚度为0.1‐2μm；所述亚微米级球形银粉的粒径为100‐800nm；所述纳米级球形银粉的粒径为5‐80nm。

5.根据权利要求1所述的芯片封装用低温烧结混合型导电银浆，其特征在于，所述多元有机酸为草酸、丙二酸或柠檬酸中的一种或多种；所述多元有机酸乙醇溶液的浓度为10‐50g/L。

6.根据权利要求1所述的芯片封装用低温烧结混合型导电银浆，其特征在于，所述超声波清洗是使用超声波清洗器以40‐350W的功率清洗30‐60min，用循环冷却水与加热温控装置控制水温在30℃以下。

7.根据权利要求1所述的芯片封装用低温烧结混合型导电银浆，其特征在于，所述溶剂为去离子水、乙醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇、丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、二乙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇乙醚、二丙二醇乙醚、二乙二醇丙醚、二丙二醇丙醚、二乙二醇丁醚、二丙二醇丁醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、乙二醇苯醚和丙二醇苯醚中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的芯片封装用低温烧结混合型导电银浆，其特征在于，所述的润湿剂为丁基萘磺酸钠盐或烷基萘磺酸盐中的一种或多种；活性剂为柠檬酸或丁二酸中的一种或多种；乳化剂为司盘60或司盘80中的一种或多种；流平剂为改性丙烯酸类流平剂中的一种或多种；增稠剂为PEG 1000、PEG 4000或PVA中的一种或多种；成膜剂为KE604或AX‐E中的一种或多种；触变剂为6500或BYK‐405中的一种或多种；抗氧化剂为抗氧化剂1010或抗坏血酸棕榈酸酯中的一种或多种；消泡剂为聚醚类消泡剂或有机硅消泡剂中的一种或多种。