[发明专利]一种封装用模具成型腔的加工工艺

说明书

技术领域

本发明涉及芯片封装技术行业，尤其是涉及一种封装用模具成型腔的加工工艺。

背景技术

芯片封装是安装半导体集成电路芯片用的外壳，起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁--芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用。

芯片的封装一般通过模具进行，而模具的生产必须要保证其精度，现有的封装模具的制造通常采用多种机床之间的协作进行生产，例如车床、铣床以及电火花加工，在对封装模具的成型腔进行加工时，一般采用电火花成型，在加工过程中各个型腔需要逐个进行加工，浪费大量时间，并且不能够保证相邻成型腔之间的距离，距离出现偏差对后期封装造成一定的影响，现有的封装模具成本过高且效率低下。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够提高封装模具加工效率并且提高质量以及降低成本的封装用模具成型腔的加工工艺。

本发明解决其技术问题所采取的技术方案是：一种封装用模具成型腔的加工工艺，所述的加工工艺步骤为：

S1、表面处理，对待加工的原材料进行表面处理；

S2、第一次粗加工，通过加工中心对原材料粗成型，加工出成型腔并留有余量；

S3、第二次粗加工，加工中心更换刀具对步骤S2中的成型腔加工到指定尺寸并留有余量；

S4、第一次精加工，加工中心更换刀具对步骤S3中的半成品进行第一次精加工到指定尺寸并留有余量；

S5、第二次精加工，加工中心更换刀具对步骤S4中的半成品进行第二次精加工；

S6、精抛，加工中心更换刀具对步骤S5中的半成品进行精抛光；

S7、手工抛光，通过人工进行抛光。

进一步具体的，所述的步骤S1中的表面处理为热处理，热处理的硬度为58 HRC～62HRC。

进一步具体的，所述的步骤S2中加工中心的刀具的转速控制在10000～20000r/min。

进一步具体的，所述的步骤S3中加工中心的刀具的转速控制在20000～30000r/min。

进一步具体的，所述的步骤S4中加工中心的刀具的转速控制在30000～40000r/min。

进一步具体的，所述的步骤S5中加工中心的刀具的转速控制在40000～50000r/min。

进一步具体的，所述的步骤S6中加工中心的刀具的转速控制在60000r/min。

进一步具体的，所述的步骤S7中采用羊毛毡与抛光膏进行手动擦拭抛光。

进一步具体的，所述的抛光膏为10000目～50000目之间。

进一步具体的，在整个工艺过程中温度控制在20～22℃。

本发明的有益效果是：采用上述工艺加工的封装模具，不需要更换加工设备，直接采用刀具对成型腔进行加工成型，保证相邻成型腔之间的位置，提高封装模具的精度，不再使用电火花加工，提高加工效率，降低加工成本。

附图说明

图1是本发明的工艺流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作详细的描述。

封装模具一般包括成型腔、进胶道以及排气道，为了保证封装产品的质量，必须保证成型腔的精度，故在对成型腔加工需要一定的技术要求，例如相邻成型腔之间的距离以及成型腔表面的精度。本发明所涉及的加工工艺能够满足上述要求。

如图1所示一种封装用模具成型腔的加工工艺，所述的加工工艺步骤为：

S1、表面处理，首先根据需要取长方体的原材料，原材料为ASSAB-88的模具钢，它是一种铬、钼、钒合金工具钢，其特点是：高耐磨性、抗崩性好、抗压强度高、高温回火后硬度高（>60HRC）、淬透性好、淬硬后尺寸稳定性好、抗回火软化性好、线切割性好、机加工及碾磨性好、表面处理特性好；其化学成份为(%)：C ：0.90；Cr ：7.80；Mn ：0.50；Si ：0.90；Mo ：2.50；V ：0.50；对模具钢的表面进行热处理，热处理的硬度达到58 HRC～62HRC；之后对其进行深冷处理，深冷处理的温度为-180℃。

S2、第一次粗加工，将经过热处理与深冷处理的长方体模具钢固定在加工中心内，加工中心对模具钢进行粗加工，将成型腔、挤胶道以及排气道粗成型，并留有后续加工余量，加工中心刀具转速控制在10000～20000r/min。