[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，具有：

(a)将形成有有机材料膜的衬底收容在处理室内的工序，

(b)向所述衬底供给含有金属的气体的工序，

(c)向所述衬底供给第一含氧气体和稀释气体的工序，所述稀释气体包括第二含氧气体和非活性气体中的至少任一种，

(d)重复所述工序(b)和所述工序(c)的工序，

在所述工序(d)中，使所述稀释气体的供给流量逐渐减小、或使所述第一含氧气体的供给流量逐渐增大，以使所述第一含氧气体的供给流量与所述稀释气体的供给流量相等或大于所述稀释气体的供给流量。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，具有(e)在将所述工序(d)进行规定次数后，供给第三含氧气体的工序。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述工序(d)中，所述稀释气体的供给流量逐渐减小，所述第一含氧气体的供给流量逐渐增大。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)具有：

以第一流量供给所述第一含氧气体的第一工序，和

以第二流量供给所述稀释气体的第二工序。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)具有：

以第一流量供给所述第一含氧气体的第一工序，和

以第二流量供给所述稀释气体的第二工序。

6.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)具有：

以第一流量供给所述第一含氧气体的第一工序，和

以第二流量供给所述稀释气体的第二工序。

7.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)中，连续进行所述第一工序和所述第二工序。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)中，连续进行所述第一工序和所述第二工序。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一含氧气体为与所述有机材料膜相比更与所述含有金属的气体反应的气体。

10.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一含氧气体为与所述有机材料膜相比更与所述含有金属的气体反应的气体。

11.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一含氧气体为与所述有机材料膜相比更与所述含有金属的气体反应的气体。

12.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一含氧气体为与所述有机材料膜相比更与所述含有金属的气体反应的气体。

13.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一含氧气体为非等离子体。

14.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一含氧气体为非等离子体。

15.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一含氧气体为非等离子体。

16.一种记录介质，记录有通过计算机使衬底处理装置执行如下步骤的程序，所述步骤包括：

(a)将形成有有机材料膜的衬底收容在处理室内的步骤，

(b)向所述衬底供给含有金属的气体的步骤，

(c)向所述衬底供给第一含氧气体和稀释气体的步骤，所述稀释气体包括第二含氧气体和非活性气体中的至少任一种，

(d)重复所述步骤(b)和所述步骤(c)的步骤，

在所述步骤(d)中，使所述稀释气体的供给流量逐渐减小、或使所述第一含氧气体的供给流量逐渐增大，以使所述第一含氧气体的供给流量与所述稀释气体的供给流量相等或大于所述稀释气体的供给流量。